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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 16:10 UVレーザダイオードの動作電圧の低減 ○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅 博文（浜松ホトニクス）  ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 |
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| 抄録 | （和） | ?族窒化物半導体AlGaNを用いた波長350nm以下の紫外(Ultraviolet : UV)レーザダイオード(Laser Diode : LD)は，大容量光記録媒体のピックアップ用，医療用，レーザ加工用の光源など幅広い応用が期待できる。AlGaNを用いたUVレーザダイオードでは拡散電位が大きいという本質的な問題に加え，電極形成プロセスにおける直流抵抗分の増加によって動作電圧が高くなる。安定した連続発振の実現にはプロセス最適化による低動作電圧化が必須である。プロセス工程を様々検討したところ，n電極金属を800 oC以上の高温で短時間アニールすることで，低動作電圧化が可能であることが分かった。すなわちnコンタクト層とn電極金属がオーミック接触となり接触比抵抗が低減したため低動作電圧化し，かつリーク電流が少ないことも確認した。 |
| （英） | Annealing condition for n-type electrode in AlGaN-based UV LD was investigated. High temperature annealing is found to be effective to reduce contact resistance. Series resistance and operating voltage of UV LD can be successfully reduced by high temperature annealing of n-type electrode. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / 紫外 / レーザダイオード / 動作電圧 / / / |
| （英） | AlGaN / GaN / ultraviolet / laser diode / operating voltage / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-121, pp. 65-69, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-121 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | UVレーザダイオードの動作電圧の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction in operating voltage of UV laser diode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(4)（和/英） | レーザダイオード / laser diode |
| キーワード(5)（和/英） | 動作電圧 / operating voltage |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 友紀 / Tomoki Ichikawa / イチカワ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda / タケダ ケンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小木曽 裕二 / Yuji Ogiso / オギソ ユウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 賢吾 / Kengo Nagata / ナガタ ケンゴ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ |
| 第9著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics K.K.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑原 正和 / Masakazu Kuwabara / クワバラ マサカズ |
| 第10著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics K.K.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 陽滋 / Yoji Yamashita / ヤマシタ ヨウジ |
| 第11著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics K.K.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅 博文 / Hirofumi Kan / カン ヒロフミ |
| 第12著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics K.K.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-142, CPM2009-116, LQE2009-121 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.65-69 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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