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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 14:55 GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大）  ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
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| 抄録 | （和） | 分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x = 0～1のGaxIn1-xAs多結晶を約1μm成長させた．100～390Kでのホール効果測定の結果，電子濃度は，x ≦ 0.30の試料では測定温度にほとんど依存しなかったが，x ≧ 0.36の試料では測定温度の低下とともに減少した．電子移動度も，Ga組成x ≦ 0.21の試料では測定温度にほとんど依存しなかったが，x ≧ 0.3の試料では測定温度の低下とともに減少した．電子濃度の温度依存性は2種類のドナー準位が存在するとして説明され，電子移動度の温度依存性は粒界障壁をこえる熱電子放出によって説明される．また，透過スペクトルを測定し，吸収係数と光学的バンドギャップを求めた．x≦0.44の試料に対してはBurstein-Mossシフトを考慮し，x≦0.30の試料に対しては粒界障壁による量子閉じ込め効果を考慮することにより，光学的バンドギャップのGa組成依存性が説明できた． |
| （英） | Polycrystalline GaxIn1-xAs films having Ga contents of x = 0-1 and the thickness of about 1μm were grown on glass substrates at 240 and 350℃ by molecular-beam deposition. Hall-effect measurements at 100-390K revealed that the electron concentration of the samples having Ga contents of x ≦ 0.30 was almost independent of the measurement temperature, while that of the samples having x ≧ 0.36 decreased with decreasing temperature. The electron mobility of the samples having Ga contents of x ≦ 0.21 was almost independent of the measurement temperature, while that of the samples having x ≧ 0.30 decreased with decreasing temperature. The temperature dependence of electron concentration is explained assuming the existence of two donor levels. The temperature dependence of electron mobility is explained in terms of thermionic electron emission over the grain-boundary barriers. In addition, optical transmission measurements were performed in order to investigate the absorption coefficient and the optical band gap. The dependence of the optical band gap on the Ga content can be explained by taking into account the Burstein-Moss shift for samples having x≦0.44, and the quantum confinement effect due to the grain- boundary barriers for the samples having x≦0.30. | |
| キーワード | （和） | 半導体混晶多結晶 / ホール効果測定 / 粒界ポテンシャル障壁 / 光学的バンドギャップ / Burstein-Mossシフト / 量子閉じ込め効果 / / |
| （英） | semiconductor alloy polycrystal / Hall-effect measurement / grain-boundary potential barrier / optical band gap / Burstein-Moss shift / quantum confinement effect / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-139, pp. 51-56, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-139 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical and optical properties of polycrystalline GaInAs thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体混晶多結晶 / semiconductor alloy polycrystal |
| キーワード(2)（和/英） | ホール効果測定 / Hall-effect measurement |
| キーワード(3)（和/英） | 粒界ポテンシャル障壁 / grain-boundary potential barrier |
| キーワード(4)（和/英） | 光学的バンドギャップ / optical band gap |
| キーワード(5)（和/英） | Burstein-Mossシフト / Burstein-Moss shift |
| キーワード(6)（和/英） | 量子閉じ込め効果 / quantum confinement effect |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 義親 / Yoshichika Torii / トリイ ヨシチカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥迫 拓也 / Takuya Okuzako / オクザコ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高見 慎也 / Shin-ya Takami / タカミ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶川 靖友 / Yasutomo Kajikawa / カジカワ ヤストモ |
| 第4著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-139, CPM2009-113, LQE2009-118 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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