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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 09:25 HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 ○佐々木 斉・後藤裕輝・碓井 彰（古河機械金属）  ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 |
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| 抄録 | （和） | サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチｍ面サファイヤ基板上に、MOCVD法によりGaN(1µm)/高温AlNバッファ(40nm)層構造を形成し、その上に厚さ約25µmのHVPE-GaN層を成長した。GaN{11-22}XRC測定の結果、X線をGaNのm軸に平行入射して測定したFWHMは、ｍ軸垂直入射のFWHM（約500arcsec）より広かった。このｍ軸平行入射のFWHMは、ｃ軸方向オフｍ面サファイヤ基板の使用や、GaN層のｍ軸に平行なストライプマスクを用いた選択横方向成長により改善されることがわかった。さらに、HVPE-GaN層の厚さを約700µmまで増加し、{11-22}面GaN自立結晶を得た。 |
| （英） | {11-22} semi-polar plane GaN crystal layers are grown on sapphire substrates using HVPE technique. MOCVD-grown GaN / HT-AlN double layer structure is used as a buffer layer between the 2-inch-diameter sapphire substrates and 25-µm-thick HVPE-GaN layers. FWHM of GaN{11-22} X-ray rocking curve (XRC) measured with the X-ray reflection along GaN m-axis is wider than that with the X-ray reflection across the m-axis. It is shown that FWHM is improved by using m-plane sapphire substrates misoriented toward the GaN c-axis. Selective area re-growth of GaN layers using the SiO2 mask stripes parallel to the GaN m-axis also suppresses the FWHM broadening along the m-axis. Furthermore, 700-μm-thick freestanding {11-22} GaN crystal is demonstrated. | |
| キーワード | （和） | GaN / 結晶成長 / HVPE / 半極性面 / {11-22} / サファイア基板 / / |
| （英） | GaN / Crystal Growth / HVPE / Semi-polar Plane / {11-22} / Sapphire Substrate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-108, pp. 5-8, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-108 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HVPE growth of {11-22} GaN Crystals on m-plane Sapphire Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶成長 / Crystal Growth |
| キーワード(3)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 半極性面 / Semi-polar Plane |
| キーワード(5)（和/英） | {11-22} / {11-22} |
| キーワード(6)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire Substrate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 斉 / Hitoshi Sasaki / ササキ ヒトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Company Limited (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 裕輝 / Hiroki Goto / ゴトウ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Company Limited (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 碓井 彰 / Akira Usui / ウスイ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Company Limited (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-129, CPM2009-103, LQE2009-108 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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