講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-20 10:20
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩(日本ガイシ)・江川孝志(名工大) ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
抄録 |
(和) |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および特性評価を実施した。実験の結果、障壁層組成および障壁層結晶品質が電気伝導特性に強く影響することを把握した。最終的に、2inch径サファイア基板上でシートキャリア密度2.3×1013cm-2,移動度1300cm2V-1s-1,シート抵抗210Ωsq-1、4inch径Si基板上でシートキャリア密度1.8×1013cm-2,移動度1270cm2V-1s-1,シート抵抗270Ωsq-1と良好な電気伝道特性を持つサンプルを得るに至った。またSi基板上においては、4inch基板全面で良好な面内分布が得られている事も確認した。 |
(英) |
MOCVD growth and material characterization of quaternary InAlGaN/GaN HEMT structures, which allow for various combinations of lattice lengths and bandgaps, were carried out. As a result, it was confirmed that the 2DEG properties of InAlGaN/GaN heterostructures strongly depend on their composition and crystal quality of the InAlGaN barrier layers. A high 2DEG density of 2.3×1013cm-2 and a low sheet resistance of 210 Ωsq-1 with a 2DEG mobility of 1300 cm2V-1s-1 were observed for a sample grown on 2-inch sapphire. Moreover, a 2DEG density of 1.8×1013cm-2, a sheet resistance of 270 Ωsq-1 and a 2DEG mobility of 1270 cm2V-1s-1 were obtained for a sample grown on 4-inch silicon substrate with a good in-wafer uniformity. |
キーワード |
(和) |
InAlGaN / InAlGaN/GaN / 高電子移動度トランジスタ / Si基板 / MOCVD / / / |
(英) |
InAlGaN / InAlGaN/GaN / HEMT / Si substrate / MOCVD / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-149, pp. 99-103, 2009年11月. |
資料番号 |
ED2009-149 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
ED LQE CPM |
開催期間 |
2009-11-19 - 2009-11-20 |
開催地(和) |
徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) |
開催地(英) |
Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
テーマ(和) |
窒化物及び混晶半導体デバイス |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2009-11-ED-LQE-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characterization of quaternary InAlGaN/GaN HEMT epi-structures fabricated on 4inch diameter Si substrates |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
InAlGaN / InAlGaN |
キーワード(2)(和/英) |
InAlGaN/GaN / InAlGaN/GaN |
キーワード(3)(和/英) |
高電子移動度トランジスタ / HEMT |
キーワード(4)(和/英) |
Si基板 / Si substrate |
キーワード(5)(和/英) |
MOCVD / MOCVD |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
市村 幹也 / Mikiya Ichimura / イチムラ ミキヤ |
第1著者 所属(和/英) |
日本ガイシ株式会社 (略称: 日本ガイシ)
NGK Insulators, Ltd. (略称: NGK Insulators, Ltd.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
第2著者 所属(和/英) |
日本ガイシ株式会社 (略称: 日本ガイシ)
NGK Insulators, Ltd. (略称: NGK Insulators, Ltd.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 光浩 / Mitsuhiro Tanaka / タナカ ミツヒロ |
第3著者 所属(和/英) |
日本ガイシ株式会社 (略称: 日本ガイシ)
NGK Insulators, Ltd. (略称: NGK Insulators, Ltd.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-11-20 10:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2009-149, CPM2009-123, LQE2009-128 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
ページ範囲 |
pp.99-103 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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