| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2009-11-20 15:00
Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性
○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大）  ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
| 抄録 |
（和） |
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピタキシャル層とSi基板の界面（エピ基板界面）の状態を水銀プローブC-V測定によって評価できることを示す。またデバイスの熱抵抗低減を目的に、Si基板を60 µm薄層化した結果、2 GHz帯デバイスでは炭化シリコン基板上GaN-HEMTに匹敵する、出力電力48.8 dBm（75.6 W）、電力付加効率54.4%、熱抵抗2.76ºC/Wを得た。また5 GHz帯における評価についても、十分に適応可能な7.58 W/mmの出力電力密度と47.14 dBm（51.8 W）の出力電力特性を得た。 |
| （英） |
We have fabricated high RF power output devices using GaN-HEMT on Si substrate, that can be screened out by Hg probe C-V measurement about epi/sub interface issue in order to apply to RF power output applications. Then we have obtained the good RF power output characteristics of 48.8 dBm (75.6 W) with power added efficiency of 54.4% and thermal resistance of 2.76ºC/W at 2 GHz by 60 µm-thick Si substrate. These characteristics are almost compatible with those of GaN-HEMT on SiC devices we fabricated at the same time. We also evaluated the GaN-HEMT on Si devices at higher frequency and achieved the feasible performance of 7.58 W/mm and 47.14 dBm (51.8 W) at 5 GHz. |
| キーワード |
（和） |
シリコン基板上GaN-HEMT / エピ基板界面 / 熱抵抗 / 高周波出力電力特性 / / / / |
| （英） |
GaN-HEMT on Si substrate / epi/sub interface / Thermal resistance / RF output power performance / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-157, pp. 139-144, 2009年11月. |
| 資料番号 |
ED2009-157 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED LQE CPM |
| 開催期間 |
2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） |
徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） |
Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） |
窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
50 W at 5 GHz RF output power performance of GaN-HEMT on Si substrate |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
シリコン基板上GaN-HEMT / GaN-HEMT on Si substrate |
| キーワード(2)（和/英） |
エピ基板界面 / epi/sub interface |
| キーワード(3)（和/英） |
熱抵抗 / Thermal resistance |
| キーワード(4)（和/英） |
高周波出力電力特性 / RF output power performance |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
伊藤 正紀 / Masanori Itoh / イトウ マサノリ |
| 第2著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
丸井 俊治 / Toshiharu Marui / マルイ トシハル |
| 第3著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大来 英之 / Hideyuki Okita / オオキタ ヒデユキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森野 芳昭 / Yoshiaki Morino / モリノ ヨシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
玉井 功 / Isao Tamai / タマイ イサオ |
| 第6著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
戸田 典彦 / Fumihiko Toda / トダ フミヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ |
| 第8著者 所属（和/英） |
沖電気工業株式会社 (略称： OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） |
名古屋工業大学 (略称： 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2009-11-20 15:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2009-157, CPM2009-131, LQE2009-136 |
| 巻番号（vol） |
vol.109 |
| 号番号（no） |
no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.139-144 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |