講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-20 15:25
マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 ○高橋健介・敖 金平(徳島大)・篠原真毅(京大)・丹羽直幹(鹿島建設)・藤原暉雄(翔エンジニアリング)・大野泰夫(徳島大) ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波を用いた無線電力伝送の大電力化・小型化・高効率化のため、高性能なダイオードが要求されている。ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いて、マイクロ波無線ユビキタス電源用のショットキーダイオードを開発した。DC測定およびRF測定でON抵抗、アクセス層部抵抗、容量を評価した。さらに、このダイオードを用いてマイクロ波電力整流回路(レクテナ)を試作し、大電力RF/DC変換において従来よりも小型化・高効率化を実現でき、マイクロ波無線電力伝送におけるGaNの有用性を示した。 |
(英) |
For microwave power rectification circuits(rectenna), high power, high conversion efficiency and compact size rectifying diodes are required. Gallium nitride(GaN)Schottky diodes with a lateral electrode layout was developed on a semi-insulating SiC substrate for microwave wireless ubiquitous power distribution. With DC and RF measurement, ON-state resistance, access resistance and capacitance are evaluated. A rectenna circuit with the GaN diode is developed and showed high conversion efficiency and compact size in high power RF/DC conversion. |
キーワード |
(和) |
マイクロ波無線電力伝送 / ダイオード / レクテナ / GaN / 耐圧 / ON抵抗 / 容量 / |
(英) |
Microwave Wireless Power Transmission / DIode / Rectenna(Rectifying antenna) / GaN / Breakdown voltage / ON-state resistance / Capacitance / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-137, pp. 145-150, 2009年11月. |
資料番号 |
LQE2009-137 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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