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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 11:20 ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大）  ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研究ではストレス電圧を徐々に変化させて測定を行うステップストレス測定法を用いて、ストレス印加による負帯電の過程をデバイス特性を通して観察した。測定より得られたID-VD特性より電流コラプスがドレイン側での負帯電あることを確認し、ID-VG特性より負帯電がバルク内であるとの予測を得た。さらに過渡応答特性を調べることで、負帯電がバルク内トラップによる現象であることの証明を試みた。 |
| （英） | Current Collapse of AlGaN/GaN HFET is assumed that a negative charge in the device by Drain bias is a cause. The process of the negative charge by the stress impression was observed by using the step stress measurement in the present study through the measurement of the device characteristics. It was confirmed that current Collapse was a drain side from the ID-VD characteristics obtained from the measurement, and did the forecast where negative charge is in the bulk from the ID-VG characteristics. In addition, proof where the negative charge was in the bulk the transition response characteristic was examined was tried. | |
| キーワード | （和） | 電流コラプス / AlGaN/GaN HFET / ステップストレス / ドレイン電流 / / / / |
| （英） | Current Collapse / AlGaN/GaN HFET / Step Stress / Drain Current / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-151, pp. 109-114, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-151 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of AlGaN/GaN HFET Current Collapse By Step Stress Measurement |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(3)（和/英） | ステップストレス / Step Stress |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン電流 / Drain Current |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 健太郎 / Kentaro Kuroda / クロダ ケンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学院 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： The Univ of Tokushima) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井川 裕介 / Yusuke Ikawa / イカワ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学院 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： The Univ of Tokushima) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光山 健太 / Kenta Mituyama / ミツヤマ ケンタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学院 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： The Univ of Tokushima) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 敖 金平 / Jin-Ping Ao / アオ ジンピン |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学院 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： The Univ of Tokushima) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno / オオノ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 徳島大学院 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： The Univ of Tokushima) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-20 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-151, CPM2009-125, LQE2009-130 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.109-114 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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