| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-11-20 11:45
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 ○菅原克也・久保俊晴(北大)・武富浩幸・三宅秀人・平松和政(三重大)・橋詰 保(北大) ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 |
| 抄録 |
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| キーワード |
(和) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-152, pp. 115-118, 2009年11月. |
| 資料番号 |
ED2009-152 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED LQE CPM |
| 開催期間 |
2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地(和) |
徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) |
| 開催地(英) |
Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ(和) |
窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Surface properties and deep electronic levels of AlGaN with high Al compositions |
| サブタイトル(英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
菅原 克也 / Katsuya Sugawara / スガワラ カツヤ |
| 第1著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
武富 浩幸 / Hiroyuki Taketomi / タケトミ ヒロユキ |
| 第3著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第4著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第5著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第6著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2009-11-20 11:45:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2009-152, CPM2009-126, LQE2009-131 |
| 巻番号(vol) |
vol.109 |
| 号番号(no) |
no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.115-118 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |