講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-04 13:00
[招待講演]High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男(ルネサステクノロジ/広島大)・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗(ルネサステクノロジ)・○芝原健太郎(広島大/ルネサステクノロジ) SDM2009-159 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-159 |
抄録 |
(和) |
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si gateのものに比べて、Vthの温度係数が大きい、すなわち温度が変わるとしきい値が大きく変わることが東芝とIBMから報告され注目を集めた。しかし、現象の解釈については異なる説明がなされ決着がついていない。我々は様々な構造のデバイスについて評価を行い、メタルゲート導入の結果仕事関数差の温度依存性が変わったことが特徴的であるが、いわゆる理想MOS部分に関しては従来との差異は無いという結論に達した。 |
(英) |
(Advance abstract in Japanese is available) |
キーワード |
(和) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-159, pp. 43-47, 2009年12月. |
資料番号 |
SDM2009-159 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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