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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 15:50 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大）  SDM2009-166 |
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| 抄録 | （和） | リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ秒熱処理を行なった。フーリエ変換赤外吸収分光分析を行なった結果、TPJ照射前後では、膜中のSi-OH結合の低減と同時にSi-O-Si成分の増加が促進され、Si-O-Si結合状態の改善が確認された。TPJ照射及びポストメタライゼーションアニール (PMA) を施すことで3.0x1010 cm-2eV-1の界面準位密度を得た。さらに、TPJ照射を行なうことで定電流ストレス (5.3x10-8 A/cm2) 印加後のフラットバンド電圧シフト (?VFB) は-15 Vから-2 Vまで抑制できた。これらの結果から、低温プロセスであるTPJ照射ミリ秒熱処理及びPMAの組み合わせ処理は高品質SiO2膜及び界面の形成に有効な技術であることが示唆される。 |
| （英） | Thermal plasma jet (TPJ) induced millisecond annealing has been performed to SiO2 films deposited at 300C by remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPECVD). Cross linkage of Si-OH bonds in SiO2 films was promoted by the annealing, and IR absorption signal associated with Si-O-Si asymmetric stretching vibration markedly increased. By performing TPJ annealing followed by post metallization anneal (PMA), a high quality SiO2/Si interface with a density of interface trap (Dit) of 3.0x1010 cm-2eV-1 was achieved. Moreover, flatband voltage shift (VFB) after constant current stress (5.3x10-8 A/cm2) was significantly decreased from -15 to -2 V after TPJ annealing. These results indicate that combination of TPJ and PMA is one of the promising low temperature processes for the high quality SiO2 and interface formation. | |
| キーワード | （和） | ミリ秒急速熱処理 / SiO2 / 固定電荷密度 / 界面準位密度 / / / / |
| （英） | millisecond rapid thermal annealing / SiO2 / density of fixed oxide charge / density of interface trap states / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-166, pp. 79-82, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-166 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of High Quality SiO2 and SiO2/Si Interface using Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing and Post-Metallization Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ秒急速熱処理 / millisecond rapid thermal annealing |
| キーワード(2)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(3)（和/英） | 固定電荷密度 / density of fixed oxide charge |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位密度 / density of interface trap states |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広重 康夫 / Yasuo Hiroshige / ヒロシゲ ヤスオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 祐介 / Yusuke Miyazaki / ミヤザキ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 和也 / Kazuya Matsumoto / マツモト カズヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 15:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-166 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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