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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 11:00 MOSトランジスタ特性の距離/空間ばらつきにおけるレイアウト構造依存性の解析 ○佐土平裕一・中武繁寿（北九州市大）  VLD2009-61 DC2009-48 |
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| 抄録 | （和） | 本研究は、 MOSトランジスタ特性における製造ばらつきの対する 拡散共有/分離、ゲート分割などのレイアウト構造に依存性に関して調査する。 具体的には、90nm製造プロセスにおいてTEGを開発、評価し、 チップ上に7x7ユニットで配置したMOSトランジスタのしきい値電圧(Vth) の実測値から距離と空間に依存するばらつき要素を抽出し、 それらのレイアウト構造依存性との相関について解析、考察を行った。 |
| （英） | In this paper, we investigate the dependency of layout structures such as diffusion sharing/isolation and gate division on MOS transistor characteristics against the variation caused by manufacturing. We developed TEG chips on 90nm manufacturing process and evaluated them for the investigation. Each chip is composed of 7x7 units, various sizes and layouts of MOS transistors are embedded in each of units. We measured Vth of each transistors and analyzed them. In the analysis, we identified the space-dependent components and distance-dependent components from the variation values of the measured Vth. |
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| キーワード | （和） | MOSトランジスタ / 製造ばらつき / 距離依存ばらつき / 空間依存ばらつき / レイアウト構造依存性 / / / |
| （英） | MOS Transistor / Manufacturing Variation / Distance-Dependent Variation / Space-Dependent Variation / Layout-Structure-Dependency / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 315, VLD2009-61, pp. 137-142, 2009年12月. | |
| 資料番号 | VLD2009-61 | |
| 発行日 | 2009-11-25 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2009-61 DC2009-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2009-12-02 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 高知市文化プラザ |
| 開催地（英） | Kochi City Culture-Plaza |
| テーマ（和） | デザインガイア2009 ―VLSI設計の新しい大地― |
| テーマ（英） | Design Gaia 2009 ―New Field of VLSI Design― |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2009-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSトランジスタ特性の距離/空間ばらつきにおけるレイアウト構造依存性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Layout Structure Dependence on Distance/Space Variation for MOS Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSトランジスタ / MOS Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 製造ばらつき / Manufacturing Variation |
| キーワード(3)（和/英） | 距離依存ばらつき / Distance-Dependent Variation |
| キーワード(4)（和/英） | 空間依存ばらつき / Space-Dependent Variation |
| キーワード(5)（和/英） | レイアウト構造依存性 / Layout-Structure-Dependency |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐土平 裕一 / Yuichi Sadohira / サドヒラ ユウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北九州市立大学 (略称： 北九州市大) The University of Kitakyusyu (略称： Univ. of Kitakyusyu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中武 繁寿 / Shigetoshi Nakatake / ナカタケ シゲトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北九州市立大学 (略称： 北九州市大) The University of Kitakyusyu (略称： Univ. of Kitakyusyu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 11:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2009-61, DC2009-48 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.315(VLD), no.316(DC) |
| ページ範囲 | pp.137-142 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-25 (VLD, DC) |
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