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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 16:50 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 ○牧野達也・木下健太郎・土橋一史・依田貴稔・岸田 悟（鳥取大）  SDM2009-169 |
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| 抄録 | （和） | NiO膜にC-AFMを用いて高抵抗状態及び低抵抗状態を書き込み, 上部電極に妨げられることなくSEM及びEPMAによる観察・分析を行った. 書き込み領域は抵抗状態(高抵抗又は低抵抗)に依らず二次電子像のコントラストの差異として識別が可能であり, 周囲の領域に比べて二次電子効率が低いことが分かった. この結果はNiO膜内部の電気伝導度が書き込み前に比べて増加したことを示唆する. 二次電子像により書き込み領域が識別可能であるという事実を利用することにより, 書き込み領域を絞り込むためのエッチング処理等を必要とせず, 各分析の適用が可能となった. |
| （英） | We clarified that both HRS and LRS of the NiO film written by using conducting atomic force microscopy (C-AFM) can be distinguished using secondary electron image (SEI) as a contrast variation. This suggests that the C-AFM writing increases the conductivity of NiO. The fact that resistance state can be identified provides a new prevailing analytical method which enables the application of conventional analytical methods. | |
| キーワード | （和） | ReRAM / NiO / C-AFM / SEM / 2次電子像 / / / |
| （英） | ReRAM / NiO / C-AFM / SEM / secondary electron yield / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-169, pp. 93-96, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-169 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanism elucidation of ReRAM by application of new analytical method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | NiO / NiO |
| キーワード(3)（和/英） | C-AFM / C-AFM |
| キーワード(4)（和/英） | SEM / SEM |
| キーワード(5)（和/英） | 2次電子像 / secondary electron yield |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 達也 / Tatsuya Makino / マキノ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 (略称： 鳥取大) Department of Information and Electronics Graduate School of Engineering, Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 (略称： 鳥取大) Department of Information and Electronics Graduate School of Engineering, Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土橋 一史 / Kazufumi Doashi / ドバシ カズフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 (略称： 鳥取大) Department of Information and Electronics Graduate School of Engineering, Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 依田 貴稔 / Takatoshi Yoda / ヨダ タカトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 (略称： 鳥取大) Department of Information and Electronics Graduate School of Engineering, Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 (略称： 鳥取大) Department of Information and Electronics Graduate School of Engineering, Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 16:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-169 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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