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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 13:30 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・三宅貴之・谷口征大・松浦秀治（阪電通大）  SDM2009-160 |
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| 抄録 | （和） | 環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，その場検査のできる可搬型蛍光X線検出器が望まれている．しかし，これまでのX線検出素子の動作には液体窒素温度が必要であり，蛍光X線検出装置が大型化する．現在は，室温付近（ペルチェ冷却）で動作するX線検出素子として，Si基板を用いたSilicon Drift Detector (SDD)が市販されているが，構造が複雑なため，歩留まりが悪く，高価である．これまでに提案・開発してきた，簡素化された3本p-Ring構造の素子の問題点の解決を行った．次に，Cdからの蛍光X線が検出できる素子開発のために，今回提案する1本p-Ring構造のSi基板の高抵抗率化と厚膜化の検討をデバイスシミュレーションを用いて行った． |
| （英） | Several regulations for hazardous substances have been enforced due to the increase of awareness of environmental issues. To reduce those measurement times, it is required to carry out ready measurements. Since past X-ray detectors were operated at liquid nitrogen temperature, however, X-ray analysis equipments with those X-ray detectors were grown in size. Recently, silicon drift detectors (SDD) cooled by Peltier devices have been used. Because the structure of SDD with many p-rings is complicated, the cost of SDD rises. We have proposed and developed the simplified structure of X-ray detectors with only three p-rings. In this study, we aim to solve problems in our detectors. To detect the X-ray fluorescence of Cd, moreover, by using device simulator we investigate the best structure of X-ray detectors with one p-ring using higher resistivity and thicker Si, which we have proposed. | |
| キーワード | （和） | Silicon Drift Detector / X 線 Si 検出素子 / 新構造 / 低価格 / 高抵抗率化 / 厚膜化 / / |
| （英） | Silicon drift detector / X-ray Si detector / New structure of X-ray detector / Price reduction / Higher resistivity Si / Thicker Si / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-160, pp. 49-54, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-160 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-160 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 |
| サブタイトル（和） | シミュレーションによる評価 |
| タイトル（英） | Simplification of Structures of Si X-ray Detectors (Silicon Drift Detector) |
| サブタイトル（英） | Evaluation by simulation |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon Drift Detector / Silicon drift detector |
| キーワード(2)（和/英） | X 線 Si 検出素子 / X-ray Si detector |
| キーワード(3)（和/英） | 新構造 / New structure of X-ray detector |
| キーワード(4)（和/英） | 低価格 / Price reduction |
| キーワード(5)（和/英） | 高抵抗率化 / Higher resistivity Si |
| キーワード(6)（和/英） | 厚膜化 / Thicker Si |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北野谷 征吾 / Seigo Kitanoya / キタノヤ セイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 貴之 / Takayuki Miyake / ミヤケ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 征大 / Yukihiro Taniguchi / タニグチ ユキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-160 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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