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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 10:40 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について ○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構）  SDM2009-155 |
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| 抄録 | （和） | (事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped 4H-SiCエピ膜中の二種類のアクセプタ密度が増減することが分かった。この二種類のアクセプタ密度の増減について、異なるエネルギーの電子線を照射した実験結果も交えて検討した。 |
| （英） | (Advance abstract in Japanese is available) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-155, pp. 23-28, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-155 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-155 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction in Acceptor Density due to Displacement of Carbon atom in Al-doped 4H-SiC by Electron Irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西野 公三 / Kozo Nishino / ニシノ コウゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳澤 英樹 / Hideki Yanagisawa / ヤナギサワ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野尻 琢慎 / Takunori Nojiri / ノジリ タクノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Comm Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 10:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-155 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
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