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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-11 16:30
レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合
篠田和典足立光一朗李 英根塩田貴支田中滋久日立/光協会)・菅原俊樹青木雅博日立)・辻 伸二日立/光協会LQE2009-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-152
抄録 (和) 次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはInP基板をエッチングすることで作製した。作製したレンズの3次元形状を解析した結果、レーザビームのコリメートに理想的な非球面形状が得られていることを確認した。この技術を用いてレンズを集積した1.3μm波長帯の水平共振器面型レーザを試作した結果、円形狭窄ビーム(3.9° x 3.5°)を得ることに成功し、シングルモードファイバとの高効率(-2.7dB)な直接光結合を確認した。また、レンズ集積フォトダイオードを試作した結果、受光感度の増大と光結合トレランスの拡大を確認した。 
(英) Highly efficient fiber coupling of a lens-integrated surface-emitting laser and a lens-integrated photodiode was demonstrated. The lens was fabricated by the etching of an InP substrate. The profile of an etched InP lens was estimated to be a highly symmetrical parabolic shape that is ideal for the collimation of a Gaussian beam. A fabricated lens-integrated surface-emitting laser operated at 1.3-µm wavelength exhibited a circular, narrow far-field pattern (3.9° x 3.5°). A highly efficient direct coupling to a single mode fiber with a coupling efficiency of -2.7 dB was confirmed. A large alignment tolerance and responsivity for direct coupling to a single mode fiber of an aspheric-lens-integrated PIN photodiode was also demonstrated.
キーワード (和) 半導体レーザ / フォトダイオード / レンズ / 集積 / / / /  
(英) semiconductor laser / photodiode / lens / integration / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 331, LQE2009-152, pp. 71-74, 2009年12月.
資料番号 LQE2009-152 
発行日 2009-12-04 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2009-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-152

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2009-12-11 - 2009-12-11 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階2号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Lens Integration with 1.3-μm Surface-Emitting Lasers and Photodiodes for Highly Efficient Coupling to Fibers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser  
キーワード(2)(和/英) フォトダイオード / photodiode  
キーワード(3)(和/英) レンズ / lens  
キーワード(4)(和/英) 集積 / integration  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠田 和典 / Kazunori Shinoda / シノダ カズノリ
第1著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 足立 光一朗 / Koichiro Adachi / アダチ コウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 英根 / Yong Lee / リ ヨング
第3著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩田 貴支 / Takashi Shiota / シオタ タカシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 滋久 / Shigehisa Tanaka / タナカ シゲヒサ
第5著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 俊樹 / Toshiki Sugawara / スガワラ トシキ
第6著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 雅博 / Masahiro Aoki / アオキ マサヒロ
第7著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 伸二 / Shinji Tsuji / ツジ シンジ
第8著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所/財団法人光産業技術振興協会 (略称: 日立/光協会)
Hitachi Central Research Laboratory/Optoelectronic Industry and Technology Development Association (略称: Hitachi/OITDA)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-11 16:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2009-152 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.331 
ページ範囲 pp.71-74 
ページ数
発行日 2009-12-04 (LQE) 


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