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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-14 13:30
[ポスター講演]サブスレッショルドCMOS LSIのためのナノワットDA変換器
山本和輝上野憲一浅井哲也雨宮好仁北大ICD2009-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-88
抄録 (和) スマートセンサLSIへの適用を目的として, 消費電力の小さいDA変換器の構成法を提案する. このDA変換器はリングオシレータと分周回路, 平滑回路および電流スイッチ回路からなる. リングオシレータの発振出力を多段のT-F/Fで分周し, そのT-F/F各段の出力をディジタル入力に応じて足し合わせてアナログ出力をつくる. 回路内のMOSFETをサブスレッショルド動作として電力低減を図る. このDA変換器の回路を設計し,
SPICEシミュレーション上で動作を確認した. 電源電圧 1.5 V の8-bit DA変換器の場合, 消費電力は540 nWであった. 
(英) An ultra-low power digital-to-analog (DA) converter based on the technique of pulse-width-modulated DA conversion was proposed. The circuit consists of a ring oscillator, a digital divider, a low-pass filter, and a current switch, which are operated in the subthreshold region of MOSFETs. The digital divider combined with the ring oscillator produces a voltage pulse whose width is proportional to the digital input. The current switch accepts the voltage pulse and sends a current pulse to the low-pass filter. The filter smooths the pulse and produces an output voltage that is proportional to the mean value of the pulse current. As a result, the circuit performs digital-to-analog conversion. The SPICE simulation with 0.35-um CMOS parameters showed that a power dissipation of our circuit was 540 nW for 8-bit DA conversion and a1.5-V power supply. Our circuit would be suitable for use in subthreshold-operated, smart sensor LSIs.
キーワード (和) CMOS / DA変換器 / 分周 / 時間軸 / サブスレッショルド / 低消費電力 / /  
(英) CMOS / DA converter / Time domain / Subthreshold region / Weak inversion / Ultra-law power / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 336, ICD2009-88, pp. 59-64, 2009年12月.
資料番号 ICD2009-88 
発行日 2009-12-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2009-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-88

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2009-12-14 - 2009-12-15 
開催地(和) 静岡大学(浜松) 
開催地(英) Shizuoka University (Hamamatsu) 
テーマ(和) 若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2009-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) サブスレッショルドCMOS LSIのためのナノワットDA変換器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A nanowatt DA converter for subthreshold CMOS LSIs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) DA変換器 / DA converter  
キーワード(3)(和/英) 分周 / Time domain  
キーワード(4)(和/英) 時間軸 / Subthreshold region  
キーワード(5)(和/英) サブスレッショルド / Weak inversion  
キーワード(6)(和/英) 低消費電力 / Ultra-law power  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 和輝 / Kazuki Yamamoto / ヤマモト カズキ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 憲一 / Ken Ueno / ウエノ ケンイチ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 哲也 / Tetsuya Asai / アサイ テツヤ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 好仁 / Yoshihito Amemiya / アメミヤ ヨシヒト
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-14 13:30:00 
発表時間 190分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2009-88 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.336 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2009-12-07 (ICD) 


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