| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-12-15 17:00
誘導結合通信を用いた低消費電力・高性能三次元プロセッサの開発 ~ 90nm CMOSマルチコアプロセッサと65nm CMOS SRAMの三次元システム集積 ~ ○新津葵一(慶大/学振)・島崎靖久(慶大/ルネサステクノロジ)・杉森靖史・小浜由範・春日一貴(慶大)・野々村 到(ルネサステクノロジ)・佐圓 真・小松成亘・長田健一・入江直彦(日立)・服部俊洋・長谷川 淳(ルネサステクノロジ)・黒田忠広(慶大) ICD2009-105 |
| 抄録 |
(和) |
90nm CMOSプロセッサ上に、65nm CMOS SRAMを積層し、誘導結合を用いた三次元LSIシステムを構築した。積層されたチップ間は、誘導結合にて接続されている。試作した三次元LSIシステムを測定し、システムレベルでの動作実証に成功した。提案する2段階タイミング調整技術、狭パルス通信技術を用いて、低消費電力動作、ならびに実用レベルに耐えうる高い信頼性を実現した。従来技術に比べ、消費電力を1/30に、面積を1/3に削減することに成功した。さらに、ワイヤ埋め込み技術とオープンスキップインダクタ技術を開発し、SRAMを複数枚積層することに成功した。 |
| (英) |
A 90nm CMOS processor is mounted face down on a package by C4 bump and a 65nm CMOS 1MB SRAM is glued on it face up. The two chips under different supply voltages are AC-coupled by inductive coupling that provides 19.2Gb/s data link. Measured power and area efficiency of the link is 1pJ/b and 0.15mm^2/Gbps, which is 1/30 and 1/3 in comparison with the DDR2 interface respectively. Furthermore, multi-SRAM stacking incorporating a wire-penetrating technique and an open-skipped inductor scheme is successfully demonstrated. |
| キーワード |
(和) |
CMOS / プロセッサ / メモリ / 誘導結合 / 無線通信 / チップ間インタフェース / 低電力化技術 / 三次元集積 |
| (英) |
CMOS / Processor / Memory / Inductive-Coupling / Wireless Communication / Inter-Chip Interface / Low-Power Technique / 3D Integration |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 336, ICD2009-105, pp. 163-168, 2009年12月. |
| 資料番号 |
ICD2009-105 |
| 発行日 |
2009-12-07 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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