講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-18 16:05
電流注入によるEr添加Si酸化膜からの1.5μm赤外発光 ○中 良弘・曽根田真也・中野誠一・疋田 創・住吉 猛(熊本大)・土屋昌弘(NICT)・中村有水(熊本大) OPE2009-168 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-168 |
抄録 |
(和) |
シリコンフォトニクスにおいて,シリコン細線導波路に適用可能な波長1.1μm以上のシリコン(Si)系発光素子の開発が重要課題となっており,この実現を目指す手法のひとつとしてエルビウム(Er)をSi系材料に添加した発光素子の研究が活発になされている.我々はEr添加シリコン酸化膜(SiO$_x$)を発光層とし,それをp型(窒化ガリウム)およびn型(酸化スズ)のワイドギャップ半導体で挟んだヘテロ接合構造を形成し,電流注入を試みた.その結果,室温において1.5μm帯の赤外発光を確認した.そして,本構造を用いることで印可電圧-発光強度特性における閾値電圧が10~20V程度と従来の報告に比べて低電圧化が図れることを示した. |
(英) |
We have observed room-temperature 1.5$\mu$m-infrared electroluminescence (EL) from a p-i-n heterostructure: n-SnO$_2$ / Er-doped SiO$_x$ / p-GaN. The n-SnO$_2$ and p-GaN layers are introduced for efficient current-injection via their wide-gap semiconductor properties. We have also confirmed low threshold voltage of about 10-20V in the voltage dependence of EL intensity. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / エルビウム / シリコン酸化膜 / / / / / |
(英) |
Silicon photonics / Erbium / Silicon suboxide / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 353, OPE2009-168, pp. 41-45, 2009年12月. |
資料番号 |
OPE2009-168 |
発行日 |
2009-12-11 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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