| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-01-12 13:25
自己組織化単分子絶縁膜上のDNTTトランジスタの温度特性と大気安定性 ○内山直哉・関谷 毅(東大)・山本達也・瀧宮和男(広島大)・Ute Zschieschang・Hagen Klauk(マックス・プランク研)・染谷隆夫(東大) OME2009-71 |
| 抄録 |
(和) |
DNTT(dinaphtho[2,3-b:2’,3’-f]thieno[3,2-b]thiophene)を自己組織化単分子膜上に蒸着し、3V以下で駆動可能な有機薄膜トランジスタを作製した。大気中で測定したところ3V駆動において移動度1.8cm2/Vs、on/off比105、リーク電流は1nA以下であった。これらを180日間大気中に放置しても電界効果移動度は低下しなかった。また、窒素雰囲気中で測定温度を150℃まで上げてもトランジスタとしての動作が確認され、その後、室温に戻しても移動度は劣化しなかった。 |
| (英) |
We have fabricated organic field-effect transistors using high-performance organic semiconductor, dinaphtho[2,3-b:2’,3’-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) on self-assembled-monolayer, which can be operated 3 V or less. Their mobility was 1.8 cm2/Vs and the leakage current was kept under 1 nA at low operating voltage of 3 V, and on/off ratio exceeded 105. Transistor performances were not changed even under exposing to air and heat cycles; they didn’t deteriorate after 180 days stored in air and were functional at high temperatures up to 150 oC in nitrogen. |
| キーワード |
(和) |
DNTT / 自己組織化単分子絶縁膜 / SAM / / / / / |
| (英) |
DNTT / Self-assembled-monolayer insulator / SAM / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-71, pp. 27-31, 2010年1月. |
| 資料番号 |
OME2009-71 |
| 発行日 |
2010-01-05 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OME2009-71 |