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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 15:30 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET ○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC）  ED2009-189 MW2009-172 |
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| 抄録 | （和） | パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した．本研究では、リセスゲートHFETにおいて高い閾値制御性・面内均一性と低いオン抵抗を両立するため、新たに分極電荷中和構造を提案する．この分極電荷中和構造では、ゲートリセス底面が形成される分極電荷中和層の機能として、ゲート電極下で各層が発生する正・負の分極電荷が完全に相殺される．この結果、閾値電圧はゲート-チャネル間距離に依存しなくなり、閾値制御性が向上する．分極電荷中和構造を適用してシリコン基板上に作製したAlGaN/GaN HFETは、ノーマリオフ動作(Vth = +0.52 V)を示すとともに、良好な閾値電圧の面内均一性(σVth = 18 mV)を示した．さらに、作製したMISゲートHFETにおいて、低いオン抵抗(RonA = 500 mΩmm2)と高い耐圧(VB = 1260 V)を達成した． |
| （英） | In this paper, we successfully demonstrate a recessed gate normally-off AlGaN/GaN HFET on a silicon substrate with high threshold voltage (Vth) uniformity and low on-resistance. In order to realize high Vth uniformity, a novel Vth control technique is proposed, which we call "piezo neutralization technique". This technique includes a piezo neutralization (PNT) layer formed at the bottom of the gate recess. Since the PNT layer neutralizes the polarization charges under the gate, the Vth comes to be independent of the gate-to-channel span. The fabricated normally-off GaN FET with PNT structure exhibits an excellent Vth uniformity ($\sigma$Vth=18 mV) and a state-of-the-art combination of the specific on-resistance (RonA=500 m$\Omega$mm2) and the breakdown voltage (VB=1260 V). The normally-off GaN FETs wtih PNT structure show great promise as power devices. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 電界効果トランジスタ / エンハンスメントモード / ノーマリオフ / 均一性 / リセス / / |
| （英） | GaN / AlGaN / FET / E-mode / normally-off / uniformity / recessed gate / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-189, pp. 81-85, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-189 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-189 MW2009-172 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Normally-off AlGaN/GaN HFET with High Threshold Voltage Uniformity |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメントモード / FET |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / E-mode |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | リセス / uniformity |
| キーワード(7)（和/英） | / recessed gate |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 一樹 / Kazuki Ota / オオタ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 一臣 / Kazuomi Endo / エンドウ カズオミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 康宏 / Yasuhiro Okamoto / オカモト ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 裕二 / Yuji Ando / アンドウ ユウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 広信 / Hironobu Miyamoto / ミヤモト ヒロノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀徳 / Hidenori Shimawaki / シマワキ ヒデノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-189, MW2009-172 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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