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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 14:40 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs ○廣木正伸・前田就彦・重川直輝（NTT）  ED2009-187 MW2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-187 MW2009-170 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-187, pp. 71-76, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-187 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-187 MW2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-187 MW2009-170 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Compressively Strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with Regrown AlGaN Contact Layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 就彦 / Narihiko Maeda / マエダ ナリヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第3著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-187, MW2009-170 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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