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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 10:25 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）  ED2009-182 MW2009-165 |
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| 抄録 | （和） | 高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考察を行った。本特性は電流密度の十分低い領域では比例特性を示すが、数 MA/cm2を超える高電流密度領域においては比例特性から逸脱し上に凸な曲線を描く。これは、要素分解の手法すなわち全遅延時間対電流の逆数特性において電流の逆数を0へと外挿し、電流依存項と非依存項に分解する手法に誤差が生じることを意味し、典型的な誤差としては30 fs程度と超高速HBTでは無視できない値である。 |
| （英） | We investigated the relationship between the emitter charging time and inverse current of heterojunction bipolar transistors (HBTs) operating at high current density. This relationship appears to be proportional when the current density is low enough, but it deviates from this proportional relationship at a current density of more than a few mega-ampere per square centimeter. This deviation causes an error in the separation of the total delay time into components when assuming the relationship 1/fT = A/I+B, where fT is the cutoff frequency, I is the current, and A and B are constants. This error is more than 30 fs, which is not negligible for ultra-high-speed HBTs. | |
| キーワード | （和） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / エミッタ充電時間 / 動的エミッタ抵抗 / エミッタ接合容量 / フェルミ-ディラック分布 / 高電流密度領域動作 / / |
| （英） | Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) / Emitter Charging Time / Dynamic Emitter Resistance / Emitter Junction Capacitance / Fermi-Dirac Distribution / High Current Density Operation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-182, pp. 43-48, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-182 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-182 MW2009-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deviation from Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) |
| キーワード(2)（和/英） | エミッタ充電時間 / Emitter Charging Time |
| キーワード(3)（和/英） | 動的エミッタ抵抗 / Dynamic Emitter Resistance |
| キーワード(4)（和/英） | エミッタ接合容量 / Emitter Junction Capacitance |
| キーワード(5)（和/英） | フェルミ-ディラック分布 / Fermi-Dirac Distribution |
| キーワード(6)（和/英） | 高電流密度領域動作 / High Current Density Operation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 真之 / Masayuki Yamada / ヤマダ マサユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上澤 岳史 / Takafumi Uesawa / ウエサワ タカフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-182, MW2009-165 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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