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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-14 10:50 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大）  ED2009-183 MW2009-166 |
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| 抄録 | （和） | ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは、一般的なプレーナ型HEMTと比較して低いKnee電圧と浅いしきい値電圧が得られた。その要因としてMMC構造による相対的なアクセス抵抗の低下と2DEGの囲い込み効果が挙げられる。2DEGの囲い込み効果は細線幅が細くなるほど顕著になり、それに伴ってしきい値電圧が正方向にシフトする。また、MMC HEMTのサブスレッショルド特性を評価したところ小さなサブスレッショルドスロープ、高いドレイン電流オン／オフ比、良好な温度依存性が観測された。このことから、MMC HEMTはプレーナ型HEMTと比較してゲート制御性が向上している。さらにMMC HEMTでは線形領域において高い電流駆動能力、飽和領域において優れた電流安定性が得られた。 |
| （英） | We proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC) AlGaN/GaN HEMT. By forming a periodic mesa, the MMC HEMT has parallel mesa-shaped channels with two-dimensional electron gas (2DEG) surrounded by the gate electrode. MMC HEMT showed lower knee voltage and shallower threshold voltage compared to planar HEMT. This seems to arise from the reduction of relative access resistance and the surrounding-filed effect. The threshold voltage shifted systematically positive direction with decreasing channel width of the MMC structure. MMC HEMT exhibited small sub-threshold slope, high drain current ON/OFF ratio, good temperature dependence. In addition, MMC HEMT showed high current drivability in linear region and excellent current stability in saturation region. Thus, the MMC HEMT is a unique structure for improving gate controllability and stability. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 多重台形チャネル(MMC)構造 / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / High Electron Mobility Transistor(HEMT) / Multi-Mesa-Channel structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 360, ED2009-183, pp. 49-53, 2010年1月. | |
| 資料番号 | ED2009-183 | |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-183 MW2009-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2010-01-13 - 2010-01-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HEMT having periodic mesa-gate structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / High Electron Mobility Transistor(HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 多重台形チャネル(MMC)構造 / Multi-Mesa-Channel structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 幸多 / Kota Ohi / オオイ コウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-14 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-183, MW2009-166 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.360(ED), no.361(MW) |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-06 (ED, MW) |
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