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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-28 14:35 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl2S4 : Eu EL素子の作製 ○渡邉康裕・三浦 登・松本皓永・中野鐐太郎（明大）  EID2009-57 |
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| 抄録 | （和） | 直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl2S4 : Eu 薄膜の作製を行った。導入ガスとして Ar および H2S からなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH2S 流量比率を 2 % 、スパッタリング時の基板温度 400 ℃、熱処理温度 790 ℃ の条件の時、最も良質な BaAl2S4 薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造の EL 素子を作製した。1 kHz 正弦波駆動においての輝度は 14.44 cd/m2 であった。さらに、ZnS バッファ層を挿入すると輝度が向上した。 |
| （英） | BaAl2S4:Eu thin films were prepared by DC reactive sputtering using Ar;H2S mixture gas. It was found that best condition of flow ratio (H2S/total gas) is 2%. The crystallinity and PL characteristics of BaAl2S4:Eu thin films show best under the condition of substrate temperature during the sputtering and annealing temperature are 400℃ and 790℃, respectively. EL devices having double insulating structure were fabricated with these conditions. The maximum luminance was 14.4 cd/m2 under the 1 kHz sinusoidal voltage. The maximum luminance level increased with insert the buffer layers between the phosphor layer and both insulating layers. | |
| キーワード | （和） | BaAl2S4 : Eu / 直流反応性スパッタリング / EL / / / / / |
| （英） | BaAl2S4:Eu / DC reactive sputtering / Electroluminescence / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 404, EID2009-57, pp. 41-44, 2010年1月. | |
| 資料番号 | EID2009-57 | |
| 発行日 | 2010-01-21 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2009-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-IDY EID IEIJ-SSL IEE-EDD |
| 開催期間 | 2010-01-28 - 2010-01-29 |
| 開催地（和） | 九州大学(筑紫地区) |
| 開催地（英） | Kyusyu Univ. (Chikushi Campus) |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2010-01-IDY-EID-OMD-EDD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl2S4 : Eu EL素子の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | BaAl2S4 : Eu EL Divices Prepared by DC-Reactive-Sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BaAl2S4 : Eu / BaAl2S4:Eu |
| キーワード(2)（和/英） | 直流反応性スパッタリング / DC reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | EL / Electroluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 康裕 / Yasuhiro Watanabe / ワタナベ ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 登 / Noboru Miura / ミウラノ ボル |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 皓永 / Hironaga Matsumoto / マツモト ヒロナガ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 鐐太郎 / Ryoutarou Nakano / ナカノ リョウタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-28 14:35:00 |
| 発表時間 | 10分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2009-57 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.404 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-01-21 (EID) |
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