講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-01-28 17:40
波長1μm帯高速成長InGaAs量子ドットレーザの電流低閾値化 ○中村拓也(首都大東京)・赤羽浩一・山本直克・川西哲也(NICT)・菅原宏治(首都大東京) PN2009-48 OPE2009-186 LQE2009-168 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-186 LQE2009-168 |
抄録 |
(和) |
波長1um帯量子ドットレーザを試作・評価したので報告する。 高速MBE成長を用いて、高密度InGaAs量子ドットを形成し、1um帯のEL, PL室温発光を観測した。この量子ドットを用いたリッジ型レーザを作製し、閾値電流25.9mAにおいて、室温レーザ発振 (発振波長1053nm) を観測した。 |
(英) |
We fabricated and demonstrated semiconductor quantum dots laser operating at 1um waveband. Utilizing high rate MBE growth, high density InGaAs quantum dots were prepared, which showed room temperature EL and PL at 1um waveband. Ridge type semiconductor laser involving high rate grown quantum dots showed a laser emission of 1053nm at room temprature, whose threshold current was as low as 25.9mA. |
キーワード |
(和) |
InGaAs / 量子ドット / 高速成長 / 半導体レーザ / 波長1um帯 / / / |
(英) |
InGaAs / Quantum dot / High growth rate / Semiconductor laser / 1um Waveband / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 402, OPE2009-186, pp. 71-74, 2010年1月. |
資料番号 |
OPE2009-186 |
発行日 |
2010-01-21 (PN, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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