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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-29 16:40 トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明 ○反町幹夫・比嘉康貴・松崎真也・宮本智之（東工大）  PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 |
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| 抄録 | （和） | トンネル注入半導体光増幅器(TI-SOA)は，活性層にキャリアのリザーバーを設置することで，誘導放出により減少したキャリアの高速な補償を可能とする．光入射時のキャリア減少の補償をトンネル注入構造の設計による活性層へのキャリア注入特性を制御することにより，TI-SOAの高速動作が可能になる．今回，数値解析によりTI-SOAのキャリアの位置的及びエネルギー的分布と注入領域構造のデバイス特性への影響を検討したので報告する．解析の結果として，従来のSOAに対してパターン効果の大幅な抑制の可能性があることを示す． |
| （英） | Semiconductor optical amplifier with a tunnel injection (TI-SOA) has carrier reservoir provides the carrier reduced by stimulated emission for the active region. And TI-SOA can control the current injection by designing the quantum-well based structure. Both effects enable the speed-up of SOA. In this paper we provide the influence of a positional and energy distribution of the carrier and injection region structure on the device characteristics by the numerical analysis. The results indicate that TI-SOA has the potential of high-speed operation compared with conventional quantum well SOA (QW-SOA). | |
| キーワード | （和） | 半導体光増幅器 / トンネル注入構造 / 高速動作 / / / / / |
| （英） | Semiconductor optical amplifier / Tunnel injection / High speed operation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 403, LQE2009-184, pp. 155-160, 2010年1月. | |
| 資料番号 | LQE2009-184 | |
| 発行日 | 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2009-64 OPE2009-202 LQE2009-184 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMT LQE PN IEE-EMT |
| 開催期間 | 2010-01-28 - 2010-01-29 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶・ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-01-OPE-EMT-LQE-PN-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Numerical Analysis of Dynamic Mechanism and Device Characteristics of Tunnel Injection SOA |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor optical amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル注入構造 / Tunnel injection |
| キーワード(3)（和/英） | 高速動作 / High speed operation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 反町 幹夫 / Mikio Sorimachi / ソリマチ ミキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 比嘉 康貴 / Yasutaka Higa / ヒガ ヤスタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 真也 / Shinya Matsuzaki / マツザキ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto / ミヤモト トモユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-29 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | PN2009-64, OPE2009-202, LQE2009-184 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.401(PN), no.402(OPE), no.403(LQE) |
| ページ範囲 | pp.155-160 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) |
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