| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-01-29 08:30
光波制御を目的とした半導体ハーフクラッド光源の開発 ○藤岡裕己(東京電機大)・山本直克・赤羽浩一・川西哲也(NICT)・高井裕司(東京電機大) PN2009-50 OPE2009-188 LQE2009-170 |
| 抄録 |
(和) |
レーザダイオードや発光ダイオードなどの光半導体デバイスにおいて、出力光の光波制御は光通信や計測分野において重要な課題である。我々は、デバイス表面への微細構造加工による光波制御を目的として新デバイス構造の検討を行っている。従来デバイスでは活性層上部に非常に厚いクラッド層を有しており、表面構造からデバイス内部を伝搬する光波へ有効な影響を与えるためには高アスペクト比な加工が必要であった。そこで、我々は、活性層上部のクラッド層を極端に薄くした半導体ハーフクラッド構造を提案し、低アスペクト比で簡便な表面微細加工による光波制御を目指す。本論文では半導体ハーフクラッド構造とその作製プロセスおよび、半導体ハーフクラッド光源のデバイス特性について報告する。 |
| (英) |
A control technique of optical-wave conditions is one of the important issues for developing novel photonic devices. Difficult fabrication techniques with a high-aspect ratio are required to achieve a controlling the optical-wave conditions in the conventional photonic devices, since the conventional photonic devices are constructed with thick-cladding layers for a confinement of the optical waves. Therefore, we propose a half-cladding semiconductor light source as a novel photonic device structure. By using the half-cladding semiconductor structure, it is expected that the optical-wave conditions in the device can be effectively controlled with surface micro structures. In this paper, we report here the fabrication techniques and device characteristics of the half-cladding semiconductor light source. |
| キーワード |
(和) |
半導体レーザ / 光波制御 / 異方性エッチング / 選択酸化 / 半導体ハーフクラッド構造 / / / |
| (英) |
Semiconductor laser diode / Control of optical-wave / Anisotropic chemical etching / Selective oxidation / Half-cladding semiconductor structure / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 402, OPE2009-188, pp. 81-84, 2010年1月. |
| 資料番号 |
OPE2009-188 |
| 発行日 |
2010-01-21 (PN, OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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