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講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-22 16:30
強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測
田村伸行菊池健人守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大ED2009-204 SDM2009-201
抄録 (和) 我々は,強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う.
常伝導体(NC)の島電極を持つ強磁性単一電子トランジス
タ(FM/NC/FM-SET)と超伝導体(SC)の島電極を持つ強磁性単一電子トランジスタ
(FM/SC/FM-SET)をそれぞれ作製し,測定した4状態の$IV$特性から$MRR$を算出
した.4状態とは,SETの$IV$特性のしきい値電圧が最小(SET-ON状態)また
は最大(SET-OFF状態)と,リード電極間の磁化方向が平行状態または反平行
状態とを組み合わせた,SET-ON状態・平行状態,SET-ON状態・反平
行状態,SET-OFF状態・平行状態,SET-OFF状態・反平行状態である.FM/NC/FM-SETの
$MRR$は強磁性体の偏極率から計算される理論値の範囲内だったのに対し,
FM/SC/FM-SETの$MRR$は理論値を超える値となった.また,これらのSETでは,
島電極の材料によらず,SET-OFF状態の$MRR$が,SET-ON状態のそれよりも増大
する,磁気抵抗比増大効果が確認された.磁気抵抗比増大の発生メカニズムとして提案
されているコトンネリングによるモデル計算を行ったところ,実験結果をおお
よそ再現した. 
(英) We report our experimental results on the magneto-resistance ratio ($MRR$) of single-electron
transistors (SETs)
with ferromagnetic (FM) lead electrodes. We fabricated two types of SETs: one
has a nomal metal (NM) island, and the other has a superconductor (SC)
island. We measured their $MRR$. The $MRR$ of the FM/NM/FM-SET was in range
of a theoretical prediction. On the other hand, the $MRR$ of the
FM/SC/FM-SET was beyond the theoritcal value. Besides, the enhanced $MRR$
effects were observed in these SETs. The enhanced $MRR$ is a phenomenon
that the $MRR$ in the SET-OFF state is enhanced more than that in the
SET-ON state. We calculated a theoretical model including cotunneling
processes and suceeded to reproduce the experimental $MRR$ values.
キーワード (和) 強磁性体 / 超伝導体 / クーロン閉塞 / 単一電子トランジスタ / 磁気抵抗比 / / /  
(英) ferromagnet / superconductor / Coulomb blockade / single-electron transistor / magneto-resistance ratio / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-204, pp. 47-52, 2010年2月.
資料番号 ED2009-204 
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-204 SDM2009-201

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-02-22 - 2010-02-23 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken-Seinen-Kaikan 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nano Device and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Observation of enhanced MR effects in a single electron transistor with ferromagnetic lead electrodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強磁性体 / ferromagnet  
キーワード(2)(和/英) 超伝導体 / superconductor  
キーワード(3)(和/英) クーロン閉塞 / Coulomb blockade  
キーワード(4)(和/英) 単一電子トランジスタ / single-electron transistor  
キーワード(5)(和/英) 磁気抵抗比 / magneto-resistance ratio  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 伸行 / Nobuyuki Tamura / タムラ ノブユキ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊池 健人 / Kento Kikuchi / キクチ ケント
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 守屋 雅隆 / Masataka Moriya / モリヤ マサタカ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 忠行 / Tadayuki Kobayashi / コバヤシ タダユキ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 島田 宏 / Hiroshi Shimada / シマダ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki / ミズガキ ヨシナオ
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-02-22 16:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-204, SDM2009-201 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.422(ED), no.423(SDM) 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 


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