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| 講演名 | 2010-02-23 09:30 ［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2009-205 SDM2009-202 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-205 SDM2009-202 |
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| 抄録 | （和） | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で，各種界面の特性を理解し，制御することが重要である．本報告では，high-k絶縁膜を堆積した場合に導入される界面電荷の影響について，素子特性解析やC-V特性解析に基づいて述べる．さらに，界面電荷を利用したCNFETの特性制御の可能性について議論する． |
| （英） | In order to control the property of carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs), it is important to understand properties of various interfaces in the device. In this report, the influence of interface charges introduced by a deposition of a high-k insulator layer on top of a back-gate CNFET is discussed, based on electrical characterization and C-V measurements. We propose a novel technique to control the type of conduction by utilizing interface fixed charges. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / FET / CMOS / ゲート絶縁膜 / 界面 / / / |
| （英） | carbon nanotube / FET / CMOS / gate insulator / interface / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-205, pp. 53-58, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-205 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-205 SDM2009-202 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-205 SDM2009-202 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of interface properties on characteristics of carbon nanotube FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(5)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森山 直希 / Naoki Moriyama / モリヤマ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北村 隆光 / Takamitsu Kitamura / キタムラ タカミツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 耕介 / Kosuke Suzuki / スズキ コウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-23 09:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-205, SDM2009-202 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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