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講演抄録/キーワード
講演名 2010-03-12 16:50
MgAl2O4基板上のホイスラー合金薄膜・人工格子の構造と磁性
竹田陽一藤田裕人深谷直人植田研二浅野秀文名大MR2009-66
抄録 (和) ホイスラー合金における格子歪が磁性に及ぼす影響を明らかにすることを目的として反強磁性ホイスラー合金Fe2VSi及び強磁性ホイスラー合金Fe2CrSiと格子ミスフィットが0.7%と極めて小さいMgAl2O4基板上にFe2VSi単層膜、及び[Fe2CrSi / Fe2VSi]5人工格子を作製し、その構造と磁気特性を調べた。Fe2VSi単層膜の歪はMgAl2O4基板を用いることで精密に制御され、c/aの減少とともにネール温度が最大57%上昇した。また、極薄(1.4nm)のFe2VSiを用いた人工格子において飽和磁化の増大が観測された 
(英) In order to clarify the relationship between lattice distortion and magnetic properties of Heusler alloy, the structural and magnetic properties of Fe2VSi single layer and [Fe2CrSi / Fe2VSi]5 artificial lattice deposited on Mg2Al2O4substrate have been investigated. The lattice misfit between Fe2YSi (Y = Cr, V) and MgAl2O4 is as small as 0.7%, and it is known that Fe2CrSi and Fe2VSi shows antiferomagnetism and ferromagnetism. The lattice distortion of Fe2VSi films have been provided by using MgAl2O4 substrate and the Neel temperature (TN) increases with decreasing c/a value. The maximum TN of Fe2VSi on MgAl2O4substrate is 57% larger than bulk value. The saturation magnetization artificial lattice using ultra thin (1.4nm)Fe2VSi layers is a little larger than Fe2CrSi single layer.
キーワード (和) ホイスラー合金 / 格子歪 / 人工格子 / / / / /  
(英) Heusler alloy / lattice distortion / artificial lattice / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, 2010年3月.
資料番号  
発行日 2010-03-05 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2009-66

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS  
開催期間 2010-03-12 - 2010-03-12 
開催地(和) 名古屋大学 
開催地(英) Nagoya Univ. 
テーマ(和) 光記録,磁気記録 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2010-03-MMS-MR 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MgAl2O4基板上のホイスラー合金薄膜・人工格子の構造と磁性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structual and magnetic properties of Heusler alloy thin films and artificial lattices on MgAl2O4 substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ホイスラー合金 / Heusler alloy  
キーワード(2)(和/英) 格子歪 / lattice distortion  
キーワード(3)(和/英) 人工格子 / artificial lattice  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 陽一 / Yoichi Takeda / タケダ ヨウイチ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 裕人 / Hirohito Fujita / フジタ ヒロヒト
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 深谷 直人 / Naoto Fukatani / フカタニ ナオト
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 植田 研二 / Kenji Ueda / ウエダ ケンジ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅野 秀文 / Hidefumi Asano / アサノ ヒデフミ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-03-12 16:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2009-66 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.433 
ページ範囲 pp.45-51 
ページ数
発行日 2010-03-05 (MR) 


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