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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-03-12 14:30 Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御 ○徐 倩茜・加藤剛志・岩田 聡・綱島 滋（名大）  MR2009-62 |
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| 抄録 | （和） | マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオンを照射し，その構造と磁気特性の変化を調べた．イオン照射前のMnBi (15 nm)膜の磁化は180 emu/ccとこれまでの報告値の1/3程度であったが，保磁力は10 kOe程度と大きく，大きな垂直磁気異方性を示す膜が得られた．MnBi膜の磁化，保磁力はKr+イオン照射量3 x 1014 ions/cm2程度で消失することが分かった．一方，1 x 1015 ions/cm2の照射においてもNiAs型のMnBi相の存在およびトルク曲線に一方向異方性が現れていることを確認した．MnBi膜のAFMおよびMFM像から，膜表面には高さ50 nm程度の凸部があり，イオン照射後においてもこの凸部に守られたMnBiが膜内に粒子状に存在していることが分かった．この粒子状のMnBi相は磁気的に孤立していると考えられ，このMnBi相により磁化，保磁力，トルク曲線振幅，構造のイオン照射量依存性を説明できることが分かった．以上から，平坦性の良いMnBi膜を得ることで，3 x 1014 ions/cm2程度の低ドーズ照射により，強磁性／非磁性遷移が可能となることが分かった． |
| （英） | MnBi (15 nm) thin films were prepared by the magnetron sputtering of Mn/Bi multilayers followed by vacuum annealing of 350˚C, and the variation of their structures and magnetic properties with 30 keV Kr+ ion irradiation was studied. The Mn52Bi48 (15 nm) film exhibited a magnetization of 180 emu/cc, which was 1/3 of the reported value, but it exhibited a large coercivity of 10 kOe resulting from large perpendicular anisotropy of this film. The magnetization and coercivity of the Mn52Bi48 film were disappeared after a low ion dose of 3.1 x 1014 ions/cm2. However, the existence of NiAs type MnBi phase and uni-directional anisotropy was confirmed by X-ray diffraction and torque magnetometer, respectively, even after the ion irradiation of 1 x 1015 ions/cm2. From atomic force microscope and magnetic force microscope observations, there existed convex surface structures with a height of ~ 50 nm on the MnBi films, and MnBi phase underneath the convex structures exhibited ferromagnetism even after the ion irradiation of 1 x 1015 ions/cm2. The surviving MnBi phases were considered to be magnetically isolated, and the existence of the isolated MnBi phases explained the variation of the structure and magnetic properties with the ion irradiation. From these results, transformation between ferromagnetic and nonmagnetic MnBi alloys by a low dose ion irradiation of ~ 3 x 1014 ions/cm2 was expected. | |
| キーワード | （和） | イオン照射 / ビットパターン媒体 / MnBi膜 / 平坦性 / / / / |
| （英） | Ion Irradiation / Bit Patterned Media / MnBi Thin Films / Surface Flatness / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, 2010年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2010-03-05 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2009-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2010-03-12 - 2010-03-12 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | 光記録，磁気記録 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2010-03-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Variation and Control of Magnetic Properties of MnBi This Films by Kr+ ion irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン照射 / Ion Irradiation |
| キーワード(2)（和/英） | ビットパターン媒体 / Bit Patterned Media |
| キーワード(3)（和/英） | MnBi膜 / MnBi Thin Films |
| キーワード(4)（和/英） | 平坦性 / Surface Flatness |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徐 倩茜 / Seisen Jyo / ジョ セイセン |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato / カトウ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 聡 / Satoshi Iwata / イワタ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綱島 滋 / Shigeru Tsunashima / ツナシマ シゲル |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-03-12 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2009-62 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.433 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-03-05 (MR) |
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