講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-04-22 13:30
[招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM ○土田賢二・稲場恒夫・藤田勝之・上田善寛・清水孝文・浅尾吉昭・梶山 健・岩山昌由・池川純夫・岸 達也・甲斐 正・天野 実・下村尚治・與田博明・渡辺陽二(東芝) ICD2010-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-7 |
抄録 |
(和) |
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit MRAMは、垂直記憶型TMR素子を採用し0.3584um2のセルサイズを実現している。また、スピン注入型MRAMで顕在化する読み出し時のディスターブ問題に対し、特に参照セルでの発生を回避可能にする事を目的としたクランプ参照方式を搭載した。さらに、メモリセル特性のバラツキにより読み出しマージンが劣化する事を抑制するため、最適参照方式を併せて搭載した。本64Mbit MRAMは65nmCMOSテクノロジで試作し、そのチップサイズは47mm2である。 |
(英) |
A 64Mb spin-transfer-torque MRAM in 65nm CMOS is developed. 47mm2 die uses 0.3584um2 cell with the perpendicular-TMR device is achieved. To get an excellent read disturb immunity for the reference cell, the clamped-reference scheme is adopted. The adequate-reference scheme is implemented to suppress the read margin degradation due to the resistance variation of reference cells. |
キーワード |
(和) |
MRAM / スピン注入型MRAM / 垂直記録型TMR / クランプ参照方式 / 最適参照方式 / / / |
(英) |
MRAM / STT-MRAM / Perpendicular-TMR / Clamped-Reference Scheme / Adequate-Reference Scheme / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-7, pp. 35-40, 2010年4月. |
資料番号 |
ICD2010-7 |
発行日 |
2010-04-15 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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