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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-22 11:15 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM ○小松成亘・山岡雅直（日立）・森本薫夫・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立）  ICD2010-4 |
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| 抄録 | （和） | 微細化に伴うVth ばらつきの増加によって、SRAM のアクセス遅延が増加し問題となっている。センスアンプ起動タイミングのばらつきを抑制することで、SRAM のアクセス遅延を削減できる。本研究では、センスアンプ起動タイミングのばらつきを抑制可能な直列レプリカビット線技術を開発した。この直列レプリカビット線技術を適用した288kbit のSRAM モジュールを40nm の加工プロセスを用いて作製した。評価の結果、レプリカビット線の遅延ばらつきが43%削減され、アクセス速度が6.1%削減されることを確認した。 |
| （英） | A multi-stage replica bitline scheme for reducing access time by suppressing enable timing variation of a sense amplifier was developed. Applied to a 288-kbit SRAM of the 40nm process node, this scheme achieves 6.1% access time reduction by reducing the sense-amplifier timing variation by 43%. | |
| キーワード | （和） | SRAM / レプリカビット線 / センスアンプ起動タイミング / ランダムばらつき / / / / |
| （英） | SRAM / Replica-bitline / Random Variation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-4, pp. 17-21, 2010年4月. | |
| 資料番号 | ICD2010-4 | |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-04-22 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 湘南工大 |
| 開催地（英） | Shonan Institute of Tech. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 40-nm Low-power SRAM with Multi-stage Replica-Bitline Scheme for Reducing Timing Variation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | レプリカビット線 / Replica-bitline |
| キーワード(3)（和/英） | センスアンプ起動タイミング / Random Variation |
| キーワード(4)（和/英） | ランダムばらつき / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 成亘 / Shigenobu Komatsu / コマツ シゲノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) HITACHI, Ltd. (略称： HITACHI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山岡 雅直 / Masanao Yamaoka / ヤマオカ マサナオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) HITACHI, Ltd. (略称： HITACHI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 薫夫 / Masao Morimoto / モリモト マサオ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 徳章 / Noriaki Maeda / マエダ ノリアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki / シマザキ ヤスヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 健一 / Kenichi Osada / オサダ ケンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) HITACHI, Ltd. (略称： HITACHI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-22 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-4 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) |
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