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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-22 12:05 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ ○小田部 晃・柳川善光・秋山 悟・関口知紀（日立）  ICD2010-6 |
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| 抄録 | （和） | 低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け，低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを適用したセンスアンプを用いることにより，データ線電圧が0.5 Vのときのセンス時間を，従来プリアンプを適用したセンスアンプと比べ62%短くできた。また，ライトサイクル時に低しきい値CMOSプリアンプを一時的に活性化することにより，ライト時間を活性化しない場合と比べ72%短くできた。さらに，データ線電圧を0.8 Vから0.5 Vに低減することにより，アレイ動作電流を12%低減できた。 |
| （英） | A novel low-VT CMOS preamplifier was developed for low-power and high-speed gigabit DRAM arrays. The sensing time of the sense amplifier with the proposed preamplifier at data-line voltage of 0.5 V is 62% shorter than that of the sense amplifier with a conventional preamplifier. By activating the proposed preamplifier temporarily during the write cycle, writing time is 72% shorter compared to the case without the proposed preamplifier. The operating current of a memory array with the proposed preamplifier is reduced by 12% by reducing data-line voltage from 0.8 to 0.5 V. | |
| キーワード | （和） | DRAM / 低電圧 / プリアンプ / センスアンプ / / / / |
| （英） | DRAM / Low voltage / Preamplifier / Sense amplifier / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-6, pp. 29-33, 2010年4月. | |
| 資料番号 | ICD2010-6 | |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-04-22 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 湘南工大 |
| 開催地（英） | Shonan Institute of Tech. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-VT CMOS Preamplifier for 0.5-V Gigabit-DRAM Arrays |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 低電圧 / Low voltage |
| キーワード(3)（和/英） | プリアンプ / Preamplifier |
| キーワード(4)（和/英） | センスアンプ / Sense amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田部 晃 / Akira Kotabe / コタベ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳川 善光 / Yoshimitsu Yanagawa / ヤナガワ ヨシミツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋山 悟 / Satoru Akiyama / アキヤマ サトル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 知紀 / Tomonori Sekiguchi / セキグチ トモノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-22 12:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-6 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) |
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