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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-22 10:50 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2010-3 |
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| 抄録 | （和） | 低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすることで、読み出しマージンとスピードを改善し、書き込み時はBLを負電位にすることで書き込みマージンを改善した。 45nmCMOSプロセスで1MbitのSRAMマクロを試作したところ0.6Vでの動作を確認した。 従来の6T-SRAMと比較し、66%動作電力が削減された。 |
| （英） | We propose a new design solution for embedded SRAM macros with cross point 8T-SRAM for low operating voltage and power. A negative bias technique for VSS and bitline (BL) enables us to achieve not only low power and high access speed, but also the large cell stability and write ability. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated the SRAM macro based on our proposal and confirmed that the 1Mbit-SRAM successfully operated at 0.6V. The active power is reduced by 66%, compared to the conventional 6T-SRAM. | |
| キーワード | （和） | SRAM / DVFS / クロスポイント / 8T / 45nm / アシスト回路 / / |
| （英） | SRAM / DVFS / cross point / 8T / 45nm / assist circuit / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-3, pp. 13-16, 2010年4月. | |
| 資料番号 | ICD2010-3 | |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-3 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-04-22 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 湘南工大 |
| 開催地（英） | Shonan Institute of Tech. |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 45nm 0.6V Cross-Point 8T SRAM with Negative Biased Read/Write Assist |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | DVFS / DVFS |
| キーワード(3)（和/英） | クロスポイント / cross point |
| キーワード(4)（和/英） | 8T / 8T |
| キーワード(5)（和/英） | 45nm / 45nm |
| キーワード(6)（和/英） | アシスト回路 / assist circuit |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中瀬 泰伸 / Yasunobu Nakase / ナカセ ヤスノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-22 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-3 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-04-15 (ICD) |
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