| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-04-23 11:10
6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 高梨優樹・○鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大) ED2010-15 |
| 抄録 |
(和) |
高移動度p型有機半導体としてしられるチオフェンオリゴマーのαゼクチオフェンを用いてn-Siとのヘテロ接合ダイオードを試作した。ダイオードは良好な整流特性を示すほか、そのJ-V特性からMIS型ショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-VとC-V解析から、ショットキーダイオードとしての諸特性、すなわちショットキー障壁φB、内蔵電位φbiをそれぞれ求めた。また理想係数nが3.3と高い数値が得られていることから、有機無機ヘテロ界面に薄い絶縁層が形成されていることもわかった。薄い絶縁層の厚みは25nmと推定される。また内蔵電位は0.4Vであり、Si層の界面付近に空乏層が形成されており、光が入射するとそこで電荷分離が起こり、発電動作が起きることも分かった。試作太陽電池では0.4%の発電効率があり、電力発電の用途のほか、光センサーや太陽電池用の不活性化膜としての用途も期待される。 |
| (英) |
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| キーワード |
(和) |
有機半導体 / 有機無機 / アルファゼクチオフェン / ショットキー / / / / |
| (英) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 11, ED2010-15, pp. 67-72, 2010年4月. |
| 資料番号 |
ED2010-15 |
| 発行日 |
2010-04-15 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2010-15 |