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講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-23 11:10
6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析
高梨優樹・○鈴木貴彦廣瀬文彦山形大ED2010-15
抄録 (和) 高移動度p型有機半導体としてしられるチオフェンオリゴマーのαゼクチオフェンを用いてn-Siとのヘテロ接合ダイオードを試作した。ダイオードは良好な整流特性を示すほか、そのJ-V特性からMIS型ショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-VとC-V解析から、ショットキーダイオードとしての諸特性、すなわちショットキー障壁φB、内蔵電位φbiをそれぞれ求めた。また理想係数nが3.3と高い数値が得られていることから、有機無機ヘテロ界面に薄い絶縁層が形成されていることもわかった。薄い絶縁層の厚みは25nmと推定される。また内蔵電位は0.4Vであり、Si層の界面付近に空乏層が形成されており、光が入射するとそこで電荷分離が起こり、発電動作が起きることも分かった。試作太陽電池では0.4%の発電効率があり、電力発電の用途のほか、光センサーや太陽電池用の不活性化膜としての用途も期待される。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 有機半導体 / 有機無機 / アルファゼクチオフェン / ショットキー / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 11, ED2010-15, pp. 67-72, 2010年4月.
資料番号 ED2010-15 
発行日 2010-04-15 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2010-15

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 伝国の杜(米沢) 
開催地(英)  
テーマ(和) 有機・薄膜デバイス,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-04-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Carrier injection kinetics of 6T/n-Si heterojunction diodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機半導体 /  
キーワード(2)(和/英) 有機無機 /  
キーワード(3)(和/英) アルファゼクチオフェン /  
キーワード(4)(和/英) ショットキー /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高梨 優樹 / Yuki Takanashi / タカナシ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata U)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 貴彦 / Takahiko Suzuki /
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata U)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose /
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata U)
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講演者 第2著者 
発表日時 2010-04-23 11:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-15 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.11 
ページ範囲 pp.67-72 
ページ数
発行日 2010-04-15 (ED) 


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