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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 15:00 SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性 ○大田康晴・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大）  SDM2010-11 OME2010-11 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) 形成を提案し、GOI (100)の高品質成長を実現している[1]。今回、本手法によるGOI形成の応用範囲を拡げるため、Si基板シードを(110)，(111) に展開し、それぞれの面方位に制御されたGOI形成を検討した。その途上、Si基板シードの面方位と、GOIの成長方向に依存したGeの回転成長に遭遇した。回転成長のシード基板面方位、成長方向依存性を系統的に検討し、回転成長を阻止するプロセス指針を明らかにした。更に、得られた指針に基づき、大面積(500m × 250m)を有するメッシュ状GOI(100)の単結晶成長を実現した。 |
| （英） | We proposed SiGe mixing triggered melting growth, and realized (100)-oriented Ge on insulator (GOI) stripes (～400 μm) by using Si(100) substrates as crystal seed [1]. To expand the application fields of such GOI structures, GOI stripes with various crystal orientations should be achieved. In the present study, growth-direction-dependent characteristics of GOI from Si(100), (110), (111) seeding substrates are investigated. During the study, we encountered a phenomenon of rotating growth of Ge layers. The detail of the rotation growth is investigated, and a guideline to prevent this phenomenon is clarified. As a results, GOI(110) and (111) stripes without the rotation are realized, together with GOI(100) stripes. Moreover, a large mesh (500μm × 250μm) of GOI stripe is realized based on these findings. | |
| キーワード | （和） | Ge / GOI / SiGeミキシング誘起溶融成長 / Ge-MOSFET / / / / |
| （英） | Ge / GOI / Melting Growth / Ge-MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-11, pp. 49-52, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-11 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-11 OME2010-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Orientation Dependent Growth Features of Ge-on-Insulator by SiGe Mixing Triggered Melting Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | GOI / GOI |
| キーワード(3)（和/英） | SiGeミキシング誘起溶融成長 / Melting Growth |
| キーワード(4)（和/英） | Ge-MOSFET / Ge-MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 康晴 / Yasuharu Ohta / オオタ ヤスハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 貴規 / Takanori Tanaka / タナカ タカノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 15:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-11, OME2010-11 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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