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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 11:40 a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション ○坂本明典・野口 隆（琉球大）・大鉢 忠（同志社大）・大城文明・ジョン デ ディウ ムジラネザ（琉球大）  SDM2010-5 OME2010-5 |
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| 抄録 | （和） | 水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）と単結晶シリコン（c-Si）のPINフォトセンサにおいて、光電流の照射強度とintrinsic領域の長さ依存性についてデバイスシミュレータによる解析を行った。c-Siの光電流と比較して、強い光照射の下でa-Si:Hの光電流の減少が見られたのは、n+とp+領域の抵抗率によるものと思われる。i層長さが10 μm以下と短い場合、a-Si:Hの光電流はc-Siより大きくなった。一方、a-Si:Hのi層が長くなると、結晶欠陥と低移動度のために光電流は減少する。長さの短いi層構造を採用し集積化したa-Si:Hの薄膜フォトセンサは有効的である。 |
| （英） | For hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and crystal silicon (c-Si) thin film PIN photo sensors, the dependence of photo current on light intensity and on intrinsic length were studied by using a device simulator, ATLAS. Compared with photo current of c-Si, a decrease in photo current for a-Si:H under strong light exposure was expressed by calculated data considering the resistivity in an n+ or p+ doped region. At short intrinsic length below 10 μm, photo current for a-Si:H was higher than that for c-Si. On the other hand, the longer intrinsic length for a-Si:H, the lower photo current was observed due to an influence of crystallographic defects and low mobility. Thin film photo-sensor of integration by using the short intrinsic structure for a-Si:H process would be effective. | |
| キーワード | （和） | 薄膜 / フォトセンサ / デバイスシミュレーション / PIN構造 / 結晶状態 / / / |
| （英） | Thin Film / Photo Sensor / Device simulation / PIN Structure / Crystalline Condition / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-5, pp. 19-22, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-5 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-5 OME2010-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of dependency of photo current on intrinsic length in a-Si and c-Si thin film PIN photo sensor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜 / Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | フォトセンサ / Photo Sensor |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | PIN構造 / PIN Structure |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶状態 / Crystalline Condition |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 明典 / Akinori Sakamoto / サカモト アキノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： University of the Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： University of the Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大鉢 忠 / Tadashi Ohachi / オオハチ タダシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doushisha University (略称： Doushisha University) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大城 文明 / Fumiaki Oshiro / オオシロ フミアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： University of the Ryukyus) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジョン デ ディウ ムジラネザ / Jean de Dieu Mugiraneza / ジョン デ ディウ ムジラネザ |
| 第5著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： University of the Ryukyus) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-5, OME2010-5 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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