ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-23 16:40
Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process
Xun YiHiroaki OzawaGou NakagawaTsuyohiko FujigayaNaotoshi NakashimaTanemasa AsanoKyushu Univ.SDM2010-15 OME2010-15
抄録 (和) Abstract Single-walled Carbon Nanotube(SWCNT) Thin Film Transistor(TFT) was made by using solution process. PFO-Bipy(PFOb) was chosen as the solubilizer to make SWCNT soluble, since PFOb was expected to give a high selectivity to select semiconducting SWCNT(s-SWCNT) with unique chirality (6,5) from solid SWCNT powder. More than five decades’ on/off ratio of SWCNT TFT was achieved for a back gated device with drop coating method after annealing process. The results suggest that PFO-Bipy solubilizer is a promising candidate to select s-SWCNT and to prepare CNT solution for TFT application. 
(英) Abstract Single-walled Carbon Nanotube(SWCNT) Thin Film Transistor(TFT) was made by using solution process. PFO-Bipy(PFOb) was chosen as the solubilizer to make SWCNT soluble, since PFOb was expected to give a high selectivity to select semiconducting SWCNT(s-SWCNT) with unique chirality (6,5) from solid SWCNT powder. More than five decades’ on/off ratio of SWCNT TFT was achieved for a back gated device with drop coating method after annealing process. The results suggest that PFO-Bipy solubilizer is a promising candidate to select s-SWCNT and to prepare CNT solution for TFT application.
キーワード (和) SWCNT / CNT / Soluble CNT / PFO-Bipy / Solution Process / TFT / /  
(英) SWCNT / CNT / Soluble CNT / PFO-Bipy / Solution Process / TFT / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 16, OME2010-15, pp. 67-70, 2010年4月.
資料番号 OME2010-15 
発行日 2010-04-16 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-15 OME2010-15

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2010-04-23 - 2010-04-23 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2010-04-SDM-OME 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SWCNT / SWCNT  
キーワード(2)(和/英) CNT / CNT  
キーワード(3)(和/英) Soluble CNT / Soluble CNT  
キーワード(4)(和/英) PFO-Bipy / PFO-Bipy  
キーワード(5)(和/英) Solution Process / Solution Process  
キーワード(6)(和/英) TFT / TFT  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 易 勲 / Xun Yi / イ クン
第1著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小澤 寛晃 / Hiroaki Ozawa / オザワ ヒロアキ
第2著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 豪 / Gou Nakagawa / ナカガワ ゴウ
第3著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤ヶ谷 剛彦 / Tsuyohiko Fujigaya / フジガヤ ツヨヒコ
第4著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 直敏 / Naotoshi Nakashima / ナカシマ ナオトシ
第5著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅野 種正 / Tanemasa Asano / アサノ タネマサ
第6著者 所属(和/英) 国立九州大学 (略称: 九大)
kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2010-04-23 16:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 OME 
資料番号 SDM2010-15, OME2010-15 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.15(SDM), no.16(OME) 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数
発行日 2010-04-16 (SDM, OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会