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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 14:10 ［招待講演］大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用 ○東 清一郎（広島大）  SDM2010-9 OME2010-9 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-9, pp. 39-44, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-9 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-9 OME2010-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microsecond Melting and Crystallization of Silicon Films Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 14:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-9, OME2010-9 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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