| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 15:20 インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 ○坂根 尭・都甲 薫・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大）  SDM2010-12 OME2010-12 |
|
| 抄録 | （和） | インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(～1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、局所領域におけるGOI薄膜の方位制御を検討した。その結果、大粒径(～10 μmφ)を有する単結晶Ge薄膜を実現した。Ge/SiO2界面は平滑で、成長領域は無欠陥であることが断面TEM測定より明らかとなった。また、顕微ラマン分光測定の結果、キャリヤ移動度向上に益となる伸張歪(～0.2 %)の導入を観測した。無欠陥歪Ge薄膜の創製であり、GeデバイスをSi集積回路に融合するための基盤技術として期待される成果である。 |
| （英） | Liquid-phase epitaxial growth of Ge islands on insulator (GOI) using Ni-imprint-induced Si (111) micro-crystal seeds (~1 μmφ) is proposed. As a result, single-crystalline GOI (111) structures with large area (~10 μmφ) are realized. The Raman measurements show that the tensile strain (~0.2 %) which enhances carrier mobility is induced in the growth regions. Moreover, the transmission electron microscopy observations reveal no defects in the grown regions. This new method is can be employed to realize the multi-functional SiGe-LSI. | |
| キーワード | （和） | SiGeミキシング誘起溶融成長 / 金属誘起固相成長 / ゲルマニウム（Ge）デバイス / / / / / |
| （英） | Germanium / Ge on Insulator / Metal Induced Crystallization / Liquid-Phase Epitaxial Growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-12, pp. 53-57, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-12 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-12 OME2010-12 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Defect-Free Ge Island on Insulator by Ni-Imprint Induced Si Micro-Seeding Rapid Melting |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGeミキシング誘起溶融成長 / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 金属誘起固相成長 / Ge on Insulator |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム（Ge）デバイス / Metal Induced Crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | / Liquid-Phase Epitaxial Growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂根 尭 / Takashi Sakane / サカネ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 貴規 / Takanori Tanaka / タナカ タカノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 15:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-12, OME2010-12 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]