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講演抄録/キーワード
講演名 2010-05-14 13:30
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化
李 昌勇松野文弥橋元芳昇岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30
抄録 (和) Au/n-GaN SBD(Schottky barrier diode)を作製した。Au電極のサイズは1m$m^{2}$ とし、膜厚を10nmとすることで電極直下を受光部にした。I-V特性測定結果より、n=1.28、$\phi_{B}$=1.07eV、開放端電圧$V_{oc}$=0.57V、短絡電流$I_{sc}$=0.51$\mu$A($\lamda$=320-390nm、177$\mu$W/c$m^{2}$)が得られた。Au/n-GaN SBDとSi信号処理回路をワイヤにより接続し、Si信号処理回路にSBDの信号($V_{oc}$)を入力した。その結果、理論値程度の350mV(177$\mu$W/c$m^{2}$)の出力値の変化が得られ、さらにSBDの信号をSi信号処理回路の累積動作により増幅して読み出すことに成功した。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) GaN / Schottky barrier diode / UVセンサ / 電荷転送型Si信号処理回路 / / / /  
(英) GaN / Schottky barrier diode / UV sensor / Charge-transfer type Si signal processor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 29, ED2010-30, pp. 69-73, 2010年5月.
資料番号 ED2010-30 
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30

研究会情報
研究会 SDM CPM ED  
開催期間 2010-05-13 - 2010-05-14 
開催地(和) 静岡大学(浜松キャンパス) 
開催地(英) Shizuoka University (Hamamatsu Campus) 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-05-SDM-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Intelligent UV sensor composed of GaN-based photodiode and Si-charge transfer type signal processor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) Schottky barrier diode / Schottky barrier diode  
キーワード(3)(和/英) UVセンサ / UV sensor  
キーワード(4)(和/英) 電荷転送型Si信号処理回路 / Charge-transfer type Si signal processor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 昌勇 / ChangYong Lee / イ チャンヨン
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松野 文弥 / Fumiya Matsuno / マツノ フミヤ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋元 芳昇 / Yoshinori Hashimoto / ハシモト ヨシノリ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-05-14 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-30, CPM2010-20, SDM2010-30 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) 
ページ範囲 pp.69-73 
ページ数
発行日 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) 


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