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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-17 16:40
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響
大野雄高森山直希北村隆光鈴木耕佑岸本 茂水谷 孝名大ED2010-41 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-41
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-41, pp. 41-45, 2010年6月.
資料番号 ED2010-41 
発行日 2010-06-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-06-17 - 2010-06-18 
開催地(和) 北陸先端大 
開催地(英) JAIST 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of interface properties on characteristics of carbon nanotube FETs 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森山 直希 / Naoki Moriyama / モリヤマ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 北村 隆光 / Takamitsu Kitamura / キタムラ タカミツ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 耕佑 / Kosuke Suzuki / スズキ コウスケ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-06-17 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-41 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.80 
ページ範囲 pp.41-45 
ページ数
発行日 2010-06-10 (ED) 


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