| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED |
| 開催期間 |
2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地(和) |
北陸先端大 |
| 開催地(英) |
JAIST |
| テーマ(和) |
半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 |
| テーマ(英) |
Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2010-06-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Effect of interface properties on characteristics of carbon nanotube FETs |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第1著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森山 直希 / Naoki Moriyama / モリヤマ ナオキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
北村 隆光 / Takamitsu Kitamura / キタムラ タカミツ |
| 第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鈴木 耕佑 / Kosuke Suzuki / スズキ コウスケ |
| 第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第5著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第6著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第24著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第25著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第26著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第27著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第28著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第29著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第30著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第31著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 第36著者 所属(和/英) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2010-06-17 16:40:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2010-41 |
| 巻番号(vol) |
vol.110 |
| 号番号(no) |
no.80 |
| ページ範囲 |
pp.41-45 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2010-06-10 (ED) |