| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-17 14:50 リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大）  ED2010-37 |
|
| 抄録 | （和） | BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワー30Wと50Wにおいて、しきい値電圧はエッチング時間とともにほぼ線形に変化することを確認した。試作したリセスゲートHEMTの電気的特性は、飽和ドレイン電流としきい値電圧の計算式を用いた相関式で概略説明できることがわかった。本ドライエッチングの適用によりエンハンスメント動作HEMTの動作を確認した。 |
| （英） | Recessed-gate AlGaN/GaN HFETs have been fabricated by using BCl3-based ICP dry-etching. It was confirmed that the threshold voltage of the fabricated HEMT indicated linear dependence on the etching time. Main features of DC characteristics for the fabricated recessed-gate HEMTs were accounted for by theoretical basic formulas for the saturated drain current and the threshold voltage. Excellent enhancement-mode operation with a threshold voltage of +0.3V has been realized by employing the developed ICP dry-etching technique. | |
| キーワード | （和） | ドライエッチング / リセスゲート / AlGaN/GaN / HEMT / / / / |
| （英） | dry-etching / recessed-gate / AlGaN/GaN / HEMT / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-37, pp. 21-24, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-37 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-37 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of Recessed-gate AlgaN/GaN Heterojunction FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドライエッチング / dry-etching |
| キーワード(2)（和/英） | リセスゲート / recessed-gate |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 向野 美郷 / Misato Mukohno / ムコウノ ミサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 直樹 / Naoki Yamada / ヤマダ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-17 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-37 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]