| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-06-17 13:25
フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一(北陸先端大) ED2010-34 |
| 抄録 |
(和) |
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waals bonding; VWB)に基づき, フレキシブル基板上InAs超薄膜を形成した. 順/逆VWB, および貼付後のウエットエッチングによるInAsデバイス層活性領域の薄層化を検討しつつ, 膜厚$\sim$~100~nmで$\sim$~10000~cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$, 膜厚$\lesssim$~20~nmという超薄膜においても$\sim~7000~cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$という極めて高い電子移動度を有する, フレキシブル基板上InAs Hallバーデバイスを実現した. この電子移動度は, フレキシブル基板上薄膜としても, InAs薄膜としても, これまでで最高の値である. |
| (英) |
(Not available yet) |
| キーワード |
(和) |
フレキシブル基板 / InAs / エピタキシャルリフトオフ / van der Waals貼付 / / / / |
| (英) |
flexible substrates / InAs / epitaxial lift-off / van der Waals bonding / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-34, pp. 5-9, 2010年6月. |
| 資料番号 |
ED2010-34 |
| 発行日 |
2010-06-10 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2010-34 |