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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-17 14:25 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大）  ED2010-36 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能動デバイスとして期待されている. しかし, 高電流・高電圧動作においては, ジュール電力にともなう自己発熱によってチャネル温度が上昇し, デバイス特性が低下する場合がある. このデバイス特性低下は, チャネル温度上昇にともなうチャネル電子速度の低下に起因するものであると考えられているが, この現象をより詳しく理解することは重要である. 本報告では, AlGaN/GaN HEFT おける自己発熱によるチャネル電子速度低下率を解析する手法を提案する. この手法は, 自己発熱による負のドレインコンダクタンスを有する定常状態出力特性に適用可能なものであり, これによってチャネル電子の平均速度の低下率がジュール電力の関数として得られる. この手法の有効性を実際のデバイスへの適用を通じて検証し, 異なったデバイス構造に基づく放熱特性の差異が電子速度低下率の差異をもたらしていることを明らかにする. |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) / 自己発熱 / 電子速度 / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / heterojunction field effect transistor (HFET) / self-heating / electron velocity / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-36, pp. 17-20, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-36 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of electron velocity reduction rate due to self-heating in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) / heterojunction field effect transistor (HFET) |
| キーワード(3)（和/英） | 自己発熱 / self-heating |
| キーワード(4)（和/英） | 電子速度 / electron velocity |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 成明 / Nariaki Tanaka / タナカ ナリアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-17 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-36 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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