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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 13:45 EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2010-41 |
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| 抄録 | （和） | EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k/Si直接接合構造の実現が必須である。High-k材料のうち希土類酸化物はSi基板と直接接合が容易に達成できるため次世代high-k材料として期待されている。本研究では絶縁膜としてLa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CeO<sub>x</sub>積層構造を用いることで達成したhigh-k/Si直接接合の電気特性の評価結果を報告する。具体的には高温短時間熱処理により低温長時間熱処理に比べて小さいリーク電流、少ない膜中固定電荷密度を得られることを示した。またWゲート電極にTiNキャップを施すことで熱処理に伴うEOTの増加を抑制できることを示した。 |
| （英） | A direct contact of high-k/Si substrate (without SiO<sub>2</sub> interfacial layer structure) is required for achieving an EOT as small as 0.5 nm. Among high-k materials, rare-earth oxides are promising since they can directly contact with Si substrate. In this study, electrical characterizations of direct contact structure with La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CeO<sub>x</sub> dielectric have been performed. Compared to the long time annealing at low temperature, lower leakage current and smaller fixed charge density are obtained with rapid thermal annealing at high temperature. The increase in EOT has been well suppressed by TiN capping on W gate electrode and a 0.55-nm EOT has been achieved even after the annealing at 900 <sup>o</sup>C. | |
| キーワード | （和） | EOT / high-k / 希土類酸化物 / シリケート / 耐熱性 / / / |
| （英） | EOT / high-k / rare earth oxide / silicate / thermal stability / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-41, pp. 43-48, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-41 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Temperature Rapid Thermal Annealing of Rare-Earth Oxides Dielectrics for Highly Scaled Gate Stack of EOT=0.5 nm |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | EOT / EOT |
| キーワード(2)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(3)（和/英） | 希土類酸化物 / rare earth oxide |
| キーワード(4)（和/英） | シリケート / silicate |
| キーワード(5)（和/英） | 耐熱性 / thermal stability |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 来山 大祐 / Daisuke Kitayama / キタヤマ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小柳 友常 / Tomotsune Koyanagi / コヤナギ トモツネ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Parhat Ahmet / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-41 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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