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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 09:30 SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル ～ バリステイックおよび準バリステイック輸送 ～ ○名取研二（東工大）  SDM2010-33 |
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| 抄録 | （和） | SiナノワイヤMOSFET のバリステイックな特性を算出するコンパクトモデルを示し、デバイス特性を議論した。更に、同じく準バリステイック特性を与える散乱モデルを説明し、計算例を示した。 |
| （英） | A compact model of ballistic Si nanowire MOSFET is disclosed and the device characteristics are discussed. Then a carrier-scattering model suitable for implementing a compact model of quasi-ballistic nanowire MOSFETs is proposed. The device characteristics derived by the model is also shown. | |
| キーワード | （和） | Naowire, MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic / / / / |
| （英） | Naowire, MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-33, pp. 1-4, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-33 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル |
| サブタイトル（和） | バリステイックおよび準バリステイック輸送 |
| タイトル（英） | A Compact Modeling of Si Nanowire MOSFETs |
| サブタイトル（英） | Ballistic and Quasi-Ballistic Transport |
| キーワード(1)（和/英） | Naowire, MOSFET / Naowire, MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Compact model / Compact model |
| キーワード(3)（和/英） | Ballistic / Ballistic |
| キーワード(4)（和/英） | Quasi-Ballistic / Quasi-Ballistic |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-33 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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