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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-22 09:30
SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル ~ バリステイックおよび準バリステイック輸送 ~
名取研二東工大SDM2010-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-33
抄録 (和) SiナノワイヤMOSFET のバリステイックな特性を算出するコンパクトモデルを示し、デバイス特性を議論した。更に、同じく準バリステイック特性を与える散乱モデルを説明し、計算例を示した。 
(英) A compact model of ballistic Si nanowire MOSFET is disclosed and the device characteristics are discussed. Then a carrier-scattering model suitable for implementing a compact model of quasi-ballistic nanowire MOSFETs is proposed. The device characteristics derived by the model is also shown.
キーワード (和) Naowire, MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic / / / /  
(英) Naowire, MOSFET / Compact model / Ballistic / Quasi-Ballistic / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-33, pp. 1-4, 2010年6月.
資料番号 SDM2010-33 
発行日 2010-06-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-33

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-06-22 - 2010-06-22 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル 
サブタイトル(和) バリステイックおよび準バリステイック輸送 
タイトル(英) A Compact Modeling of Si Nanowire MOSFETs 
サブタイトル(英) Ballistic and Quasi-Ballistic Transport 
キーワード(1)(和/英) Naowire, MOSFET / Naowire, MOSFET  
キーワード(2)(和/英) Compact model / Compact model  
キーワード(3)(和/英) Ballistic / Ballistic  
キーワード(4)(和/英) Quasi-Ballistic / Quasi-Ballistic  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-06-22 09:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-33 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.90 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2010-06-15 (SDM) 


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