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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-25 14:05 ［招待講演］インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM 2010)報告 ○篠田和典（日立）  OPE2010-14 LQE2010-16 |
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| 抄録 | （和） | 本年5月31日～6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM 2010)の注目論文や技術動向を報告する．本会議は，インジウム燐とその関連材料の結晶成長，プロセス，および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である．第22回にあたる本年は，「Compound Semiconductor Week 2010」として，第37回化合物半導体国際会議(ISCS 2010)と同時開催され，各種化合物半導体の進展を総合的に議論できる場となった．本年のIPRMにおける光デバイス分野における最もホットなトピックスは，近年発展の著しいインジウム燐系のモノリシック集積技術であった．モノリシック集積技術の今後の更なる進展が期待される．また，光電子融合に向けたシリコン基板上への化合物半導体の集積技術や，量子ドットなどのナノ構造，アンチモン系半導体や窒化物半導体の結晶成長に関する発表も活発であった． |
| （英） | The latest technological achievements and technology trends appeared at the 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010) are reported. The conference was held in Takamatsu, Japan from May 31 to June 4, 2010, collocated with the 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010). The intention behind this collocation was to bring together international researchers in the field of compound semiconductors, and encourage the development of new technologies and ideas. The IPRM 2010 covered the latest advances in materials, growth, processing, photonic devices, electron devices and applications of InP and related materials. One of the hot topics regarding photonic devices was InP-based monolithic integration technology. From reported results, further progress in monolithic integration technology was expected. Other topics included the integration of III-V compound semiconductors on silicon for the conversion of photonics and electronics, nanostructures including quantum dots, and growth of nitride-based and antimonide-based semiconductors. | |
| キーワード | （和） | インジウム燐 / 化合物半導体 / 光デバイス / 国際会議 / 技術動向 / / / |
| （英） | Indium Phosphide / Compound Semiconductor / Photonic Device / International Conference / Technology Trend / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 103, LQE2010-16, pp. 1-1, 2010年6月. | |
| 資料番号 | LQE2010-16 | |
| 発行日 | 2010-06-18 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2010-14 LQE2010-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2010-06-25 - 2010-06-25 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階研修1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM 2010)報告 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Report on 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | インジウム燐 / Indium Phosphide |
| キーワード(2)（和/英） | 化合物半導体 / Compound Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 光デバイス / Photonic Device |
| キーワード(4)（和/英） | 国際会議 / International Conference |
| キーワード(5)（和/英） | 技術動向 / Technology Trend |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠田 和典 / Kazunori Shinoda / シノダ カズノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-25 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2010-14, LQE2010-16 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.102(OPE), no.103(LQE) |
| ページ範囲 | p.1 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2010-06-18 (OPE, LQE) |
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