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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-30 12:00 ［招待講演］強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ ○宮尾正信（九大）・浜屋宏平（九大/JST）  ED2010-52 SDM2010-53 |
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| 抄録 | （和） | SiGe上における強磁性シリサイドのエピタキシャル成長、ショットキー接合を用いたスピン注入等の実験結果を述べ、SiGe系スピントランジスタへの応用を展望する。 |
| （英） | Recent our progress in low temperature molecular beam epitaxy of magnetic silicide (Fe3Si) on group-IV-semiconductor (SiGe) was reviewed. By optimizing beam flux ratio (Fe:Si=3:1) and growth temperature (<130 oC), a high quality hybrid structure, i.e., DO3-type Fe3Si on SiGe with an atomically flat interface, was achieved. Excellent magnetic properties with a small coercivity and electrical properties with reasonable Schottky barrier height were obtained. Electrical injection and detection of spin-polarized electron in Si was successfully demonstrated. These results will be a powerful tool to open up group-IV-semiconductor spin-transistors, consisting of SiGe channel with high mobility and Fe3Si source/drain for spin-injection. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | magnetic silicide / SiGe / spin-transistors / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-53, pp. 11-13, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-53 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-52 SDM2010-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / magnetic silicide |
| キーワード(2)（和/英） | / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | / spin-transistors |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜屋 宏平 / Kohei Hamaya / ハマヤ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学/科学技術振興機構 (略称： 九大/JST) Kyushu University/Japan Science and Technology Agency (略称： Kyushu Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-30 12:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-52, SDM2010-53 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.11-13 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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